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曾一平

中国科学院半导体研究所

个人简介

曾一平，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院半导体研究所老科协分会理事长。研究方向包括无线电电子学、物理学、金属学及金属工艺。代表性工作涉及MBE GaAs基材料产业化、Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂、InGaAs/InAlAs量子阱二维电子气自旋分裂、低温GaAs光电导THz发射、半导体自旋电子学、共振隧穿结构调控、溶胶-凝胶法制备ZnO和SrTiO₃纳米薄膜、MEMS用3C-SiC的LPCVD生长、AlGaN/GaN与AlN/GaN超晶格场效应晶体管材料、氮化镓光致发光等。

精选作品

期刊论文

  1. 汪久龙，赵思齐，李云凯，闫果果，申占伟，赵万顺，王雷，关敏，刘兴昉，孙国胜，曾一平（2022）. 无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究. 《半导体光电》.
  2. 孟锡俊，王晓东，闫建昌，曾一平，李晋闽（2021）. 电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响. 《半导体技术》.DOI
  3. 王雪，崔志勇，王兵，郭凯，段瑞飞，曾一平，李晋闽（2021）. 侧壁粗化GaN基倒装芯片光提取效率的模拟分析. 《激光与光电子学进展》.
  4. 王雪，崔志勇，王兵，薛建凯，张向鹏，段瑞飞，曾一平，李晋闽（2020）. ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升. 《半导体技术》.DOI
  5. 薛斌，闫建昌，王军喜，曾一平，李晋闽（2020）. 紫外消毒技术与紫外光源发展趋势. 《照明工程学报》.
  6. 薛斌，王军喜，曾一平，李晋闽，闫建昌（2020）. 氮化物紫外LED研究与应用. 《照明工程学报》.
  7. 温正欣，张峰，申占伟，陈俊，何亚伟，闫果果，刘兴昉，赵万顺，王雷，孙国胜，曾一平 (2019). Design and fabrication of 10-kV silicon–carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension. Chinese Physics B.
  8. 袁超，关敏，张杨，李弋洋，刘兴昉，刘爽杰，曾一平（2017）. 利用变温瞬态电致发光研究OLED载流子的输运机理. 《发光学报》.
  9. 刘兴昉，闫果果，桑玲，郑柳，钮应喜，王嘉铭，张峰，杨霏，杨香，樊中朝，孙国胜，曾一平，温家良，何志（2017）. P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究. 《智能电网》.
  10. 杜泽杰，段瑞飞，魏同波，张硕，王军喜，曾一平，冉军学，李晋闽（2017）. 使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED. 《半导体技术》.
  11. 赵晓蒙，张杨，崔利杰，关敏，王保强，朱战平，曾一平 (2017). Growth and Characterization of InSb Thin Films on GaAs(001) without Any Buffer Layers by MBE. Chinese Physics Letters.
  12. 申占伟，张峰，Sima Dimitrijev，韩吉胜，闫果果，温正欣，赵万顺，王雷，刘兴昉，孙国胜，曾一平 (2017). Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO. Chinese Physics B.
  13. 曾一平（2016）. 高效氮化物LED异质结构设计与量子效率提升研究. 《科技创新导报》.
  14. 任敬川，刘超，崔利杰，曾一平（2016）. Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状. 《半导体光电》.
  15. 闫果果，张峰，钮应喜，杨霏，刘兴昉，王雷，赵万顺，孙国胜，曾一平（2016）. 氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究. 《半导体光电》.
  16. 任敬川，刘超，崔利杰，曾一平（2016）. ZnSeTe薄膜的分子束外延生长. 《半导体技术》.
  17. 闫果果，张峰，钮应喜，杨霏，刘兴昉，王雷，赵万顺，孙国胜，曾一平 (2016). Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD. Journal of Semiconductors.
  18. 牛吉强，张杨，关敏，王成艳，崔利杰，杨秋旻，李弋洋，曾一平 (2016). Detection of lead ions with AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor. Journal of Semiconductors.
  19. 田丽欣，张峰，申占伟，闫果果，刘兴昉，赵万顺，王雷，孙国胜，曾一平 (2016). Influences of annealing on structural and compositional properties of Al2O3thin films grown on 4H–SiC by atomic layer deposition. Chinese Physics B.
  20. 牛立涛，关敏，楚新波，曾一平，李弋洋，张杨（2015）. 有机电致发光器件的瞬态电响应特性. 《发光学报》.
  21. 周子超，赵丽霞，卢鹏志，朱石超，王军喜，曾一平（2015）. 高功率LED器件的热特性分析(英文). 《半导体技术》.
  22. 张理嫩，刘超，崔利杰，曾一平（2014）. 硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展. 《半导体技术》.
  23. 杨秋旻，刘超，崔利杰，曾一平（2013）. Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用. 《真空科学与技术学报》.
  24. 赵玲慧，张连，王晓东，路红喜，王军喜，曾一平（2013）. 基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能. 《光子学报》.
  25. 杨秋旻，刘超，张家奇，崔利杰，曾一平（2013）. 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响. 《半导体技术》.
  26. 赵玲慧，魏同波，王军喜，严清峰，曾一平，李晋闽 (2013). Enhanced light extraction of InGaN LEDs with photonic crystals grown on p-GaN using selective-area epitaxy and nanospherical-lens photolithography. Journal of Semiconductors.
  27. 刘斌，孙国胜，刘兴昉，张峰，董林，郑柳，闫果果，刘胜北，赵万顺，王雷，曾一平，李锡光，王占国，杨霏 (2013). Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2System. Chinese Physics Letters.
  28. 陶东言，刘超，尹春海，曾一平（2013）. 离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析. 《光谱学与光谱分析》.
  29. 尹春海，刘超，陶东言，曾一平 (2013). Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN. Journal of Semiconductors.
  30. 刘兴昉，孙国胜，刘斌，闫果果，关敏，张杨，张峰，董林，郑柳，刘胜北，田丽欣，王雷，赵万顺，曾一平 (2013). Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates. Chinese Physics B.
  31. 张杨，张雨溦，王成艳，关敏，崔利杰，李弋洋，王宝强，朱战平，曾一平 (2013). High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures. Chinese Physics B.
  32. 张家奇，赵杰，刘超，崔利杰，曾一平（2012）. 低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善. 《半导体技术》.
  33. 苏艳梅，种明，曾一平，胡小燕，于艳，孙捷，张晓燕（2012）. 128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器. 《红外与激光工程》.
  34. 张家奇，杨秋旻，赵杰，崔利杰，刘超，曾一平（2012）. ZnCl2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长. 《微电子学》.
  35. 赵玲慧，路红喜，王晓东，马平，曾一平（2012）. 双波长LED结构材料生长及电学性能研究. 《第十二届全国MOCVD学术会议》.
  36. 吴猛，曾一平，王军喜，胡强（2011）. 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究. 《半导体技术》.
  37. 闫果果，孙国胜，吴海雷，王雷，赵万顺，刘兴昉，董林，郑柳，曾一平（2011）. 4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究. 《半导体光电》.
  38. 赵杰，刘超，李彦波，曾一平（2011）. Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展. 《半导体光电》.
  39. 李彦波，刘超，张杨，曾一平（2011）. 锑化物HEMT器件研究进展. 《功能材料与器件学报》.
  40. 赵杰，曾一平（2011）. 新型高效太阳能电池研究进展. 《物理》.
  41. 闫果果，孙国胜，吴海雷，王雷，赵万顺，刘兴昉，曾一平，温家良 (2011). Multi-wafer 3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor. Journal of Semiconductors.
  42. 吴海雷，孙国胜，杨挺，闫果果，王雷，赵万顺，刘兴昉，曾一平，温家良 (2011). High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD. Journal of Semiconductors.
  43. 孙国胜，刘兴昉，吴海雷，闫果果，董林，郑柳，赵万顺，王雷，曾一平，李锡光，王占国 (2011). Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement. Chinese Physics B.
  44. 吴巨，金鹏，曾一平，王宝强，王占国（2010）. 薄膜和量子点的外延生长(英文). 《微纳电子技术》.
  45. 周文政，代娴，林铁，商丽燕，崔利杰，曾一平，褚君浩（2010）. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂. 《广西大学学报(自然科学版)》.
  46. 纪攀峰，王军喜，刘乃鑫，Yan Jianchang，刘喆，路红喜，曾一平，王国宏，李晋闽（2010）. InGaN/GaN量子阱中v型缺陷的研究（英文）. 《第七届中国国际半导体照明论坛》.
  47. 胡强，魏同波，段瑞飞，羊建坤，霍自强，卢铁城，曾一平（2010）. 自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究. 《稀有金属材料与工程》.
  48. 杨挺，孙国胜，吴海雷，闫果果，宁瑾，赵永梅，刘兴昉，罗木昌，王雷，赵万顺，曾一平（2010）. 立方相SiC MEMS器件研究进展. 《微纳电子技术》.
  49. 李越强，刘雯，王晓东，陈燕凌，杨富华，曾一平（2010）. 内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究. 《功能材料与器件学报》.
  50. 李彦波，刘超，张杨，赵杰，曾一平（2010）. 锑化物超晶格红外探测器的研究进展. 《固体电子学研究与进展》.
  51. 刘祯，王晓峰，杨华，段垚，曾一平 (2010). A Ga-doped ZnO transparent conduct layer for GaN-based LEDs. Journal of Semiconductors.
  52. 姬小利，杨富华，王军喜，段瑞飞，丁凯，曾一平，王国宏，李晋闽 (2010). Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes. Journal of Semiconductors.
  53. 刘超，曾一平（2009）. 锑化物半导体材料与器件应用研究进展. 《半导体技术》.
  54. 吴巨，曾一平，王宝强，朱占平，王占国（2009）. 快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点. 《微纳电子技术》.
  55. 吴巨，金鹏，吕小晶，王占国，曾一平，王宝强，姚然（2008）. MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续). 《微纳电子技术》.
  56. 孙莉莉，闫发旺，张会肖，王军喜，曾一平，王国宏，李晋闽（2008）. 非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质. 《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议》.
  57. 关敏，曹国华，李林森，曾一平（2008）. F 16 CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善. 《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议》.
  58. 曹国华，关敏，曹俊松，李林森，曾一平（2008）. 空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响. 《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议》.
  59. 王亮，孙国胜，刘兴昉，赵永梅，宁瑾，王雷，赵万顺，曾一平，李晋闽（2008）. Si基SiC微通道及其制备工艺. 《微纳电子技术》.
  60. 林郭强，曾一平，段瑞飞，魏同波，马平，王军喜，刘喆，王晓亮，李晋闽（2008）. HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征. Journal of Semiconductors.
  61. 关敏，曹国华，李林森，曾一平（2008）. F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善. 《半导体技术》.
  62. 李成基，李弋洋，曾一平（2008）. 高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量. 《半导体技术》.
  63. 崔利杰，曾一平，王保强，朱战平，石小溪，黄振，李淼，赵国忠（2008）. 天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响. 《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集》.
  64. 孙莉莉，闫发旺，张会肖，王军喜，曾一平，王国宏，李晋闽（2008）. 非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质. 《半导体技术》.
  65. 崔军朋，段垚，王晓峰，曾一平（2008）. 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜. 《发光学报》.
  66. 杨春雷，王建农，葛惟锟，崔利杰，曾一平（2007）. 自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展. 《物理》.
  67. 朱汇，郑厚植，李桂荣，牛智川，曾一平，张飞，孙晓明，谈笑天（2007）. 三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
  68. 朱汇，郑厚植，李桂荣，牛智川，曾一平，张飞，孙晓明，谈笑天（2007）. 三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿. 《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》.
  69. 韩春林，张杨，曾一平，高建峰，薛舫时，陈辰（2007）. InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究. 《2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）》.
  70. 沈文娟，王俊，王启元，段垚，曾一平（2006）. MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文). 《功能材料与器件学报》.
  71. 刘超，李建平，曾一平（2005）. 溶胶-凝胶工艺制备SrTiO3纳米薄膜的研究. 《半导体技术》.
  72. 孙国胜，宁瑾，高欣，攻全成，王雷，刘兴日方，曾一平，李晋闽（2005）. 4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文). 《人工晶体学报》.
  73. 孙国胜，王雷，巩全成，高欣，刘兴日方，曾一平，李晋闽（2005）. MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长（英文）. 《人工晶体学报》.
  74. 高兴国，刘超，李建平，曾一平，李晋闽（2005）. 硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展. 《微电子学》.
  75. 刘超，高兴国，李建平，曾一平，李晋闽（2005）. GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为. Journal of Semiconductors.
  76. 仇志军，桂永胜，崔利杰，曾一平，黄志明，疏小舟，戴宁，郭少令，禇君浩（2004）. 掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究. 《红外与毫米波学报》.
  77. 刘超，李建平，孙国胜，曾一平（2004）. 溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用. 《发光学报》.
  78. 张永兴，孙国胜，王雷，赵万顺，高欣，曾一平，李晋闽，李思渊（2004）. 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文). Journal of Semiconductors.
  79. 王晓亮，胡国新，王军喜，刘新宇，刘键，刘宏新，孙殿照，曾一平，钱鹤，李晋闽，孔梅影，林兰英（2004）. RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文). Journal of Semiconductors.
  80. 高欣，孙国胜，赵万顺，王雷，李晋闽，曾一平，罗木昌（2003）. 化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究. 《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》.
  81. 孙国胜，孙艳玲，王雷，赵万顺，罗木昌，张永兴，曾一平，李晋闽，林兰英（2003）. 无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文). Journal of Semiconductors.
  82. 胡国新，王晓亮，孙殿照，王军喜，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽，林兰英（2003）. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料. Journal of Semiconductors.
  83. 刘超，李建平，曾一平（2003）. 溶胶-凝胶工艺制备SrTiO 3 纳米薄膜的研究. 《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会》.
  84. 刘超，李建平，曾一平，李晋闽（2003）. 在SOI衬底上用GSMBE外延生长SiGe合金薄膜的研究. 《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会》.
  85. 孙国胜，孙艳玲，王雷，赵万顺，罗木昌，李建平，曾一平，林兰英（2003）. Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究. 《发光学报》.
  86. 孙国胜，罗木昌，王雷，赵万顺，孙艳玲，曾一平，李晋闽，林兰英（2003）. Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文). 《发光学报》.
  87. 王晓亮，胡国新，王军喜，刘宏新，孙殿照，曾一平，李晋闽，孔梅影，林兰英，刘新宇，刘键，钱鹤（2003）. MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT. 《固体电子学研究与进展》.
  88. 孙国胜，王雷，罗木昌，赵万顺，朱世荣，李晋闽，曾一平，林兰英（2003）. Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究. 《固体电子学研究与进展》.
  89. 孙国胜，王雷，罗木昌，赵万顺，孙殿照，曾一平，李晋闽，林兰英（2002）. Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长(英文). Journal of Semiconductors.
  90. 孙殿照，王晓亮，胡国新，王军喜，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽，林兰英（2002）. 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料. 《固体电子学研究与进展》.
  91. 孔梅影，曾一平（2002）. GaAs基分子束外延材料的市场和产业化. 《固体电子学研究与进展》.
  92. 蒋春萍，郭少令，孙 全，黄志明，桂永胜，郑国珍，褚君浩，崔利杰，曾一平，朱战平，王保强（2002）. 退火与未退火MM-HEMT材料中二维电子气的磁输运特性研究. 《红外与毫米波学报》.
  93. 王军喜，孙殿照，王晓亮，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽，侯洵，林兰英（2001）. 高质量氮化镓材料的光致发光研究. 《应用光学》.
  94. 曾一平，孔梅影 曾一平（2000）. 我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化. 《中国工程科学》, Vol. 2, No. 5.下载原文
  95. 孙殿照，刘宏新，王军喜，王晓亮，刘成海，曾一平，李晋闽，林兰英（2000）. NH3-MBE生长极化场二维电子气材料. 《功能材料与器件学报》.
  96. 王晓光，常勇，桂永胜，褚君浩，曹昕，曾一平，孔梅影（2000）. 赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究. 《红外与毫米波学报》.
  97. 孙殿照，王晓亮，王军喜，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽，侯洵，林兰英（2000）. GSMBE生长的高质量氮化镓材料. Journal of Semiconductors.
  98. 李国辉，杨茹，于民，韩卫，曾一平（2000）. InGaAs/InP中离子注入和新型HPT. 《功能材料与器件学报》.
  99. 黄万霞，林理彬，曾一平，潘量（1999）. 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响. Journal of Semiconductors.
  100. 周宏伟，曾一平，李歧旺，卫微，王红梅，孔梅影（1998）. InAs薄膜Hall器件. 《传感器与微系统》.
  101. 张福厚，陈江华，李树强，于复生，曾一平（1998）. 量子阱激光器超晶格缓冲层的研究. 《半导体光电》.
  102. 庄乾东，李晋闽，曾一平，潘量，孔梅影，林兰英（1998）. InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收. 《红外与毫米波学报》.
  103. 王晓亮，孙殿照，孔梅影，侯洵，曾一平（1998）. InxGa1-xAs/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化. Journal of Semiconductors.
  104. 王晓亮，孙殿照，孔梅影，候洵，曾一平（1997）. 匹配In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析. Journal of Semiconductors.
  105. 王晓亮，孙殿照，孔梅影，侯洵，曾一平（1997）. InxGa1-xAs/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究. Journal of Semiconductors.
  106. 王晓亮，孙殿照，孔梅影，侯洵，曾一平，李建平，李灵霄，朱世荣（1997）. In0.63Ga0.37As/InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究. 《红外与毫米波学报》.
  107. 王晓亮，孙殿照，孔梅影，侯洵，曾一平（1997）. 压应变In0.63Ga0.37As/InP单量子阱的变温光致发光研究. Journal of Semiconductors.
  108. 宋珂，张福厚，邢建平，曾一平（1997）. 分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料. 《科技通报》.
  109. 刘尧，肖绪瑞，曾一平，阎春辉，郑海群，孙殿照（1997）. 晶格匹配型GaAs/AlxGa1-xAs量子阱电极光电转换性能的研究. 《中国科学:数学》.
  110. 曾一平，孔梅影，王晓亮，朱世荣，李灵霄，李晋闽（1997）. MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响. 《电子显微学报》.
  111. 宋珂，张福厚，邢建平，曾一平（1997）. 分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究. 《光电子·激光》.
  112. 潘栋，曾一平，吴巨，王红梅，李晋闽，孔梅影（1997）. 50周期的In0.3Ga0.7As/GaAs应变超晶格的生长. Journal of Semiconductors.
  113. 潘栋，曾一平，李晋闽，孔梅影（1997）. 光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应. Journal of Semiconductors.
  114. 张福厚，宋珂，邢建平，郝修田，曾一平（1997）. 具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制. 《中国激光》.
  115. 李晋闽，郑海群，曾一平，孔梅影（1994）. 具有宽带响应的GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器. 《红外与毫米波学报》.
  116. 段海龙，王启明，吴荣汉，曾一平，孔梅影（1991）. GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱. Journal of Semiconductors.
  117. 吴荣汉，段海龙，王启明，曾一平，孔梅影，潘钟，张权生，林世鸣（1991）. GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态. Journal of Semiconductors.
  118. 曾一平，孔梅影，孙殿照，段维新，谢茂海，李立康，梁基本，郑海群，朱世荣，黄运衡（1991）. 分子束外延GaAs/AlGaAs材料及应用. 《微纳电子技术》.
  119. 郑海群，孙殿照，阎春辉，梁基本，曾一平，孔梅影（1991）. 用于HEMT的调制掺杂材料的研制. 《微纳电子技术》.
  120. 梁基本，孔梅影，段维新，朱战萍，谢茂海，朱世荣，曾一平，张学渊（1991）. 优质GaAs/Si材料的研制. 《微纳电子技术》.
  121. 孙殿照，阎春辉，国红熙，朱世荣，黄运衡，曾一平，孔梅影（1991）. 化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料. 《微纳电子技术》.
  122. 王春艳，孔梅影，王玉田，郑海群，曾一平（1991）. MBE GaAs/GaP(001)外延层的光学和结构性质. 《微纳电子技术》.
  123. 徐俊英，李立康，张敬明，曾安，傅方正，陈良惠，曾一平，孙殿照，孔梅影（1990）. AlGaAs/GaAs多量子阱激光器. 《中国激光》.
  124. 张晓秋，朱战萍，孙殿照，孔梅影，曾一平，郑海群，阎春辉（1990）. 分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用. 《真空科学与技术学报》.
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研究方向

无线电电子学物理学金属学及金属工艺

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