郭祥｜贵州大学｜学者主页

2026

基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究

马玉麟，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

DOI

2025

基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

马玉麟，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

DOI

2025

基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

马玉麟，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

DOI

2025

Design and Tuning of Photocatalytic Properties in MoC 2 N 4 /WC 2 N 4 van der Waals Heterostructure: A DFT Investigation

Mengya Huang, Yuannong Ye, Yue Gao, Zhao Ding, Yi Wang, Xiang Guo, Qi-Zhi Lang, Yan Li Jiang, Xuefei Liu

Langmuir

DOI

2024

过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi2N4的第一性原理计算

姚登浪，黄泽琛，郭祥，丁召，王一

《原子与分子物理学报》

2024

液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响

马玉麟，郭祥，王一，丁召

《原子与分子物理学报》

2024

GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展

马玉麟，郭祥，丁召

《人工晶体学报》

2024

稀土元素（La、Eu、Ho）掺杂单层WSe2的第一性原理研究

姜冠戈，江玉琪，郭祥，丁召

《功能材料》

2024

基于第一性原理研究缺陷对单层WSe2结构的光电性质的影响

廖展旺，江玉琪，郭祥

《功能材料》

2024

具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT

吴栋，姚登浪，郭祥，丁召

《电子元件与材料》

2023

具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET

姚登浪，吴栋，张颖，郭祥

《电子元件与材料》

2023

图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响

张丹懿，江玉琪，黄泽琛，蒋冲，赵梦秦，王一，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

2023

表面形貌对GaAs生长速率测量的影响

江玉琪，张丹懿，王一，丁召，郭祥

《原子与分子物理学报》

2023

In液滴在GaAs(001)表面扩散行为的研究

赵梦秦，黄泽琛，蒋冲，张丹懿，唐锦程，王一，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

2023

In液滴低温时在不同沉积量下的形貌演变分析

唐锦程，丁召，黄泽琛，李家伟，宋娟，赵梦琴，张丹懿，王一，郭祥

《原子与分子物理学报》

2023

不同缺陷对二维MoSi2N4的电子结构及光学性质影响

王广，黄泽琛，罗子江，郭祥，王一

《功能材料》

2022

过渡金属Fe、Co掺杂二维CuI的第一性原理计算

王一，姚登浪，宋娟，王继红，罗子江，丁召，郭祥

《功能材料》

2022

基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响

李家伟，丁召，黄泽琛，李耳士，宋娟，蒋冲，王一，罗子江，郭祥

《原子与分子物理学报》

2022

Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算

宋娟，王一，郭祥，罗子江，王继红

《原子与分子物理学报》

2021

GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构

刘雪飞，吕兵，罗子江，王继红，郭祥，杨秀璋

《功能材料》

2021

低温下GaAs(001)图形化衬底对In原子扩散机制的影响

王一，丁召，杨晨，罗子江，王继红，李军丽，郭祥

《真空科学与技术学报》

DOI

2021

晶化温度与砷压对Ga在GaAs(001)表面扩散限制的研究

王一，丁召，杨晨，罗子江，王继红，李军丽，郭祥

《功能材料》

2021

基于液滴外延法的Al(In)纳米结构在GaAs(001)的形成机制

王一，李志宏，丁召，杨晨，罗子江，王继红，郭祥

《人工晶体学报》

DOI

2021

GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响

黄泽琛，蒋冲，李耳士，李家伟，宋娟，王一，郭祥，罗子江，丁召

《人工晶体学报》

DOI

2021

分子束外延生长过程中GaAs(001)表面铝液滴的扩散成核过程

蒋冲，王一，丁召，黄延彬，罗子江，李志宏，李耳士，郭祥

《人工晶体学报》

DOI

2021

Kinetic calculation analysis of Ga deposition on the morphology evolution of GaAs quantum ring

Qi-Zhi Lang, Xiang Guo, Zijiang Luo, Zhao Ding

Materials Research Express

DOI

2020

In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

王一，丁召，魏节敏，杨晨，罗子江，王继红，郭祥

《人工晶体学报》

DOI

2020

Al液滴在GaAs表面的熟化行为研究

李耳士，黄延彬，郭祥，王一，罗子江，李志宏，蒋冲，丁召

《人工晶体学报》

DOI

2020

衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响

黄延彬，马明明，郭祥，王一，罗子江，汤佳伟，李志宏，张振东，丁召

《原子与分子物理学报》

2020

AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究

宋娟，丁召，张振东，郭祥，魏节敏，王继红，罗子江，王一

《人工晶体学报》

2020

Ga液滴沉积量对GaAs/GaAs(001)同心量子双环形貌的影响

李志宏，汤佳伟，郭祥，王一，罗子江，马明明，黄延彬，张振东，丁召

《原子与分子物理学报》

2020

The magnetic, optical and electronic properties of Mn–X(X = O, Se, Te, Po) co-doped MoS2 monolayers via first principle calculation

Qi-Zhi Lang, Yan-Bin Huang, Jiemin Wei, Yi Wang, Xiang Guo, Zijiang Luo, Zhao Ding

Materials Research Express

DOI

2020

Microstructure, optical, and photoluminescence properties of β-Ga2O3 films prepared by pulsed laser deposition under different oxygen partial pressures*

Ruirui Cui, Jun Zhang, Zijiang Luo, Xiang Guo, Zhao Ding, Chaoyong Deng

Chinese Physics B

DOI

2020

Effect of initial crystallization temperature and surface diffusion on formation of GaAs multiple concentric nanoring structures by droplet epitaxy*

Yi Wang, Xiang Guo, Jiemin Wei, Yang Chen, Zijiang Luo, Jihong Wang, Zhao Ding

Chinese Physics B

DOI

2019

Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响

黄延彬，丁召，马明明，王一，罗子江，李志宏，郭祥

《人工晶体学报》

DOI

2019

零砷压下Ga液滴在AlGaAs表面扩散行为的研究

王一，魏节敏，郭祥，马明明，汤佳伟，王继红，罗子江，杨晨，丁召

《原子与分子物理学报》

2019

AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究

张振东，王一，黄延彬，李志宏，杨晨，罗子江，郭祥，丁召

《原子与分子物理学报》

2019

生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

马明明，杨晓珊，郭祥，王一，汤佳伟，张之桓，许筱晓，丁召

《原子与分子物理学报》

2019

First-principle calculations of electronic and optical properties of Ti-doped β-Ga2O3 with intrinsic defects

Zhendong Zhang, Zhao Ding, Xiang Guo, Zijiang Luo, Jiemin Wei, Chen Yang, Yan-Bin Huang, Zhihong Li

Materials Research Express

DOI

2019

Structural, mechanical, and electronic properties of 25 kinds of III–V binary monolayers: A computational study with first-principles calculation*

Xuefei Liu, Zijiang Luo, Xun Zhou, Jiemin Wei, Yi Wang, Xiang Guo, Bing Lv, Zhao Ding

Chinese Physics B

DOI

2019

Theoretical study of stress and strain distribution in coupled pyramidal InAs quantum dots embedded in GaAs by finite element method

Xuefei Liu, Zijiang Luo, Xun Zhou, Jiemin Wei, Yi Wang, Xiang Guo, Qi-Zhi Lang, Zhao Ding

The European Physical Journal B

DOI

2019

Influence of Ga(Al)As substrates on surface morphology and critical thickness of InGaAs quantum dots

Yi Wang, Xiang Guo, Jiemin Wei, Yang Chen, Zijiang Luo, Jihong Wang, Zhao Ding

Current Applied Physics

DOI

2018

衬底温度及退火对液滴外延法生长InAs量子点的影响

许筱晓，郭祥，王一，罗子江，杨晨，杨晓珊，张之桓，刘健，丁召

《功能材料》

2018

不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究

刘雪飞，罗子江，周勋，王继红，魏杰敏，王一，郭祥，郎啟智，刘万松，丁召

《功能材料》

2018

16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

刘雪飞，罗子江，周勋，王继红，魏杰敏，王一，郭祥，郎啟智，刘万松，丁召

《功能材料》

2018

InxGa1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度

罗子江，倪照风，崔潇，郭祥，丁召，王继红

《功能材料》

2018

Ga液滴在不同溶蚀时间下的形貌演变分析

汤佳伟，郭祥，王一，罗子江，杨晨，张之桓，杨晓珊，许筱晓，马明明，丁召

《真空科学与技术学报》

2018

粗糙GaAs（001）表面对In0.15Ga0.85As薄膜生长的影响

杨晓珊，郭祥，罗子江，王一，杨晨，许筱晓，张之桓，丁召

《电子科技》

2016

多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究

刘健，王一，郭祥，王继红，罗子江，郎啟智，赵振，周海月，丁召

《真空科学与技术学报》

2016

GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞

周勋，罗子江，王继红，郭祥，丁召

《功能材料》

2016

Al0.26Ga0.74As/GaAs（001）表面形貌的热力学分析

周海月，赵振，郭祥，魏文喆，王一，罗子江，刘健，王继红，周勋，丁召

《真空科学与技术学报》

2015

InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

赵振，周海月，郭祥，罗子江，王继红，王一，魏文喆，丁召

《功能材料》

2014

GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程

罗子江，周勋，王继红，郭祥，王一，魏文喆，丁召

《功能材料》

2014

生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响

王一，郭祥，刘珂，黄梦雅，魏文喆，赵振，胡明哲，罗子江，丁召

《真空科学与技术学报》

2014

GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢

罗子江，周勋，王继红，郭祥，丁召

《功能材料》

2014

GaAs(001)-(2×4)重构下的表面形貌

罗子江，周勋，王继红，郭祥，丁召

《真空科学与技术学报》

2014

GaAs(001)表面重构

罗子江，周勋，王继红，郭祥，丁召

《材料导报》

2014

An application of half-terrace model to surface ripening of non-bulk GaAs layers

Ke Liu, Xiang Guo, Qing Zhou, Bi-Chan Zhang, Zijiang Luo, Zhao Ding

Chinese Physics B

DOI

2014

Critical surface phase of α2(2 × 4) reconstructed zig-zag chains on InAs(001)

Xiang Guo, Xun Zhou, Jihong Wang, Zijiang Luo, Qing Zhou, Ke Liu, Mingzhe Hu, Zhao Ding

Thin Solid Films

DOI

2013

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

王继红，罗子江，周勋，郭祥，周清，刘珂，丁召

《功能材料》

2013

MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点

周清，刘珂，罗子江，郭祥，周勋，丁召

《功能材料》

2013

InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究

郭祥，周勋，罗子江，王继红，周清，刘珂，丁召

《真空科学与技术学报》

2012

In0.14Ga0.86As/GaAs（4×3）表面的RHEED及STM分析

尚林涛，罗子江，周勋，郭祥，张毕禅，何浩，贺业全，丁召

《真空科学与技术学报》

2012

Influence of GaAs(0 0 1) pregrowth surface morphology and reconstruction on the growth of InGaAs layers

Qing Zhou, Zijiang Luo, Ke Liu, Xiang Guo, Bi-Chan Zhang, Xun Zhou, Jihong Wang, Zhao Ding

Applied Surface Science

DOI

2012

Step instability of the In0.2Ga0.8As (001) surface during annealing

Bi-Chan Zhang, Xun Zhou, Zijiang Luo, Xiang Guo, Zhao Ding

Chinese Physics B

DOI

2012

Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns

Xun Zhou, Zijiang Luo, Xiang Guo, Bi-Chan Zhang, Lin-Tao Shang, Qing Zhou, Chaoyong Deng, Zhao Ding

Chinese Physics B

DOI

2011

RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜

罗子江，周勋，贺业全，何浩，郭祥，张毕禅，邓朝勇，丁召

《功能材料》

精选作品

期刊论文

基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究

基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

Design and Tuning of Photocatalytic Properties in MoC 2 N 4 /WC 2 N 4 van der Waals Heterostructure: A DFT Investigation

过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi2N4的第一性原理计算

液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响

GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展

稀土元素（La、Eu、Ho）掺杂单层WSe2的第一性原理研究

基于第一性原理研究缺陷对单层WSe2结构的光电性质的影响

具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT

具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET

图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响

表面形貌对GaAs生长速率测量的影响

In液滴在GaAs(001)表面扩散行为的研究

In液滴低温时在不同沉积量下的形貌演变分析

不同缺陷对二维MoSi2N4的电子结构及光学性质影响

过渡金属Fe、Co掺杂二维CuI的第一性原理计算

基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响

Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算

GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构

低温下GaAs(001)图形化衬底对In原子扩散机制的影响

晶化温度与砷压对Ga在GaAs(001)表面扩散限制的研究

基于液滴外延法的Al(In)纳米结构在GaAs(001)的形成机制

GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响

分子束外延生长过程中GaAs(001)表面铝液滴的扩散成核过程

Kinetic calculation analysis of Ga deposition on the morphology evolution of GaAs quantum ring

In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

Al液滴在GaAs表面的熟化行为研究

衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响

AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究

Ga液滴沉积量对GaAs/GaAs(001)同心量子双环形貌的影响

The magnetic, optical and electronic properties of Mn–X(X = O, Se, Te, Po) co-doped MoS2 monolayers via first principle calculation

Microstructure, optical, and photoluminescence properties of β-Ga2O3 films prepared by pulsed laser deposition under different oxygen partial pressures*

Effect of initial crystallization temperature and surface diffusion on formation of GaAs multiple concentric nanoring structures by droplet epitaxy*

Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响

零砷压下Ga液滴在AlGaAs表面扩散行为的研究

AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究

生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

First-principle calculations of electronic and optical properties of Ti-doped β-Ga2O3 with intrinsic defects

Structural, mechanical, and electronic properties of 25 kinds of III–V binary monolayers: A computational study with first-principles calculation*

Theoretical study of stress and strain distribution in coupled pyramidal InAs quantum dots embedded in GaAs by finite element method

Influence of Ga(Al)As substrates on surface morphology and critical thickness of InGaAs quantum dots

衬底温度及退火对液滴外延法生长InAs量子点的影响

不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究

16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

InxGa1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度

Ga液滴在不同溶蚀时间下的形貌演变分析

粗糙GaAs（001）表面对In0.15Ga0.85As薄膜生长的影响

多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究

GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞

Al0.26Ga0.74As/GaAs（001）表面形貌的热力学分析

InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程

生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响

GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢

GaAs(001)-(2×4)重构下的表面形貌

GaAs(001)表面重构

An application of half-terrace model to surface ripening of non-bulk GaAs layers

Critical surface phase of α2(2 × 4) reconstructed zig-zag chains on InAs(001)

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点

InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究

In0.14Ga0.86As/GaAs（4×3）表面的RHEED及STM分析

Influence of GaAs(0 0 1) pregrowth surface morphology and reconstruction on the growth of InGaAs layers

Step instability of the In0.2Ga0.8As (001) surface during annealing

Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns

RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜

预印本

Morphological Evolution of InGaAs/GaAs Monolayer Quantum Dots Under High-Temperature Annealing at Zero Arsenic Pressure

研究方向