陆妩

期刊论文

1. Zheming Wang, Wu Lu, Kexian Li, Hong-Yun Xu, Hua Yang, Shuming Wang, Yongsheng Liu (2026). The Intrinsic Streamer Branching in Insulating Oils: Discharge Properties and Dynamic Balance at the Streamer Head During Early Propagation. IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation.DOI
2. Yi-Ming Huang, Wu Lu, Weiwei Qi, Jun Zhang (2025). Molecular Dynamics Simulation of the Decomposition and Gas Generation Characteristics of Natural Ester Insulating Oils Under Overheated Conditions. IET Nanodielectrics.DOI
3. Ya Wang, Yifei Xiong, Zheming Wang, Wu Lu (2025). Characterization of Space Charge Accumulations in Alternative Gas-to-Liquid Oil-Immersed Paper Insulation Under Polarity Reversal Voltage Scenarios. Energies.DOI
4. Li-Ping Guo, Hongliang Wang, Weiwei Qi, Jun Zhang, Wu Lu (2025). The Molecular Dynamics of Signature Gas Diffusions in Synthetic-Ester-Based Oil Under a Range of Thermal Conditions. Energies.DOI
5. Kexian Li, Wu Lu, Weiwei Qi, Jun Zhang, Zheming Wang, Hua Yang, Ge Sun, Wenqiang Zhou, Chen Yang (2025). Molecular Dynamics Simulation of Dissolved Gases in Natural Ester Under Concentrated Electric Field. Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena.DOI
6. Tian-Yuan Xin, D. Kharchenko, V. Kharchenko, Wu Lu (2025). Phase field modeling of sub-parabolic oxidation kinetics and in-plane stress in zircaloy under neutron/proton irradiation. Physica Scripta.DOI
7. Zheming Wang, Yaogang Wang, Hao Ding, Bowen Jia, Wenqiang Zhou, Wu Lu, Yongsheng Liu (2024). Modeling of Surface Trapping Effect on Charge Accumulation Pattern at Gas–Solid Interface in DC GIL. IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation.DOI
8. Hong-Yun Xu, Wu Lu, Zheming Wang, Bowen Jia, Yi-Kun Zhao, Jian-Gang Bi (2024). Modeling of Streamers in Natural Ester and Naphthenic Oil: Basic Physical Properties and Propagation Modes. IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation.DOI
9. Ming-Yi Zhang, You Zhou, Wu Lu, Junhan Lu, Xin Yang (2023). Influence of nanoparticles’ polarization on the streamer branching and propagation in nanofluids. Journal of Molecular Liquids.DOI
10. Zheming Wang, Hong-Yun Xu, You Zhou, Yao-Gang Wang, Bo-Wen Jia, Wenqiang Zhou, Yi-Kun Zhao, Jian-Gang Bi, Wu Lu, Yongsheng Liu (2023). Numerical modeling of positive streamer propagation in alternative natural ester and traditional naphthenic oil under sub-microsecond pulsed voltages. Journal of Physics D: Applied Physics.DOI
11. 刘默寒，王信，陆妩，何承发，郭旗（2021）. 双极电子器件极低剂量率辐照损伤研究进展. 《中国核科学技术进展报告（第七卷）——中国核学会2021年学术年会论文集第6册（计算物理分卷、核物理分卷、核聚变与等离子体物理分卷、辐射物理分卷、核工程力学分卷）》.DOI
12. 蔡娇，姚帅，陆妩，于新，王信，李小龙，刘默寒，孙静，郭旗（2021）. 双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究. 《核技术》.
13. 陈思远，于新，陆妩，王信，李小龙，刘默寒，孙静，郭旗（2021）. 增强型氮化镓功率器件的总剂量效应. 《微电子学》.DOI
14. 相传峰，李小龙，陆妩，王信，刘默寒，于新，蔡娇，张瑞勤，何承发，荀明珠，刘海涛，张巍，于刚，郭旗（2021）. 不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究（英文）. 《原子能科学技术》.
15. 相传峰，姚帅，于新，李小龙，陆妩，王信，刘默寒，孙静，郭旗，蔡娇，杨圣（2021）. 模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应. 《辐射研究与辐射工艺学报》.
16. 王思源，孙静，陆妩（2021）. P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术. 《辐射研究与辐射工艺学报》.
17. Chuanfeng Xiang, Shuai Yao, Wu Lu, Xiaolong Li, Xin Yu, Xin Wang, Mohan Liu, Jing Sun, Qi Guo (2021). Influence of enhanced low dose rate sensitivity on single-event transient degradation in the LM158 bipolar operational amplifier. AIP Advances.DOI
18. 于新，陆妩，姚帅，荀明珠，王信，李小龙，孙静（2020）. 低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究. 《微电子学》.DOI
19. 王利斌，王信，吴雪，李小龙，刘默寒，陆妩（2020）. 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响. 《辐射研究与辐射工艺学报》.
20. 王利斌，姚帅，陆妩，王信，于新，李小龙，刘默寒，孙静，席善学，郭旗（2020）. 双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究. 《电子学报》.
21. 陈思远，于新，陆妩，姚帅，李小龙，王信，刘默寒，席善学，王利斌，孙静，何承发，郭旗 (2020). Effects of Total-Ionizing-Dose Irradiation on Single-Event Burnout for Commercial Enhancement-Mode AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors. Chinese Physics Letters.
22. 陆妩，李小龙，于新，王信，刘默寒，姚帅，常耀东（2019）. 双极器件ELDRS效应研究进展. 《原子核物理评论》.
23. 姚帅，陆妩，于新，李小龙，王信，刘默寒，孙静，常耀东，席善学，何承发，郭旗（2019）. 变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响. 《原子能科学技术》.
24. 姬庆刚，刘杰，李东青，刘天奇，叶兵，赵培雄，孙友梅，陆妩，郑齐文（2019）. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响. 《原子核物理评论》.
25. 席善学，郑齐文，崔江维，魏莹，姚帅，何承发，郭旗，陆妩（2019）. 超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型. 《太赫兹科学与电子信息学报》.
26. 席善学，陆妩，郑齐文，崔江维，魏莹，姚帅，赵京昊，郭旗（2019）. 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响. 《电子学报》.
27. 王万俊，陆妩，荀明珠，于刚，王倩（2019）. X射线硅与水吸收剂量转换因子的Monte-Carlo计算. 《新疆大学学报(自然科学版中英文)》.DOI
28. 贾金成，李小龙，陆妩，孙静，王信，刘默寒，魏昕宇，姚帅，郭旗（2018）. 双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性. 《核技术》.
29. 刘默寒，陆妩，贾金成，施炜雷，王信，李小龙，孙静，郭旗，吴雪，张培健（2018）. 发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响. 《核技术》.
30. 贾金成，陆妩，吴雪，张培健，孙静，王信，李小龙，刘默寒，郭旗，刘元（2018）. 双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究. 《微电子学》.
31. 常耀东，陆妩，李小龙，姚帅，魏昕宇，王信，孙静，刘默寒，郭旗，何承发（2018）. 国产双极晶体管不同温度辐照下界面陷阱演化机制. 《环境技术》.
32. 李小龙，陆妩，王信，于新，郭旗，孙静，刘默寒，姚帅，魏昕宇，何承发 (2018). Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor. Chinese Physics B.
33. 郑齐文，崔江维，魏莹，余学峰，陆妩，任迪远，郭旗 (2018). Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs. Chinese Physics Letters.
34. 于新，陆妩，姚帅，郭旗，孙静，王信，刘默寒，李小龙 (2018). Simulation of Synergism Effect Using Temperature Switching Irradiation on Bipolar Comparator. Chinese Physics Letters.
35. 邹德洋，何承发，陆妩，张峰，葛本伟（2018）. 基于钴源辐照的光释光测年方法研究. 《科技视界》.
36. 魏昕宇，陆妩，李小龙，王信，孙静，于新，姚帅，刘默寒，郭旗（2018）. 国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS. 《半导体技术》.
37. You Zhou, Sanyi Sui, Jie Li, Z. Ouyang, Yu-Zhen Lv, Chengrong Li, Wu Lu (2018). The effects of shallow traps on the positive streamer electrodynamics in transformer oil based nanofluids.DOI
38. 郑齐文，崔江维，刘梦新，苏丹丹，周航，马腾，余学峰，陆妩，郭旗，赵发展 (2017). Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin. Chinese Physics B.
39. 孙静，陆妩，邓伟，郭旗，余学峰，何承发（2016）. 辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响. 《核技术》.
40. 荀明珠，何承发，陆妩，郭旗，孙静，刘默寒，曾骏哲，王信（2016）. 高能56Fe离子入射屏蔽材料的次级粒子模拟分析. 《核技术》.
41. 刘默寒，陆妩，马武英，王信，郭旗，何承发，姜柯，李小龙，荀明珠 (2016). Total ionizing dose effects of domestic Si Ge HBTs under different dose rates. Chinese Physics C.
42. 王信，陆妩，马武英，郭旗，王志宽，何承发，刘默寒，李小龙，贾金成 (2016). Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure. Chinese Physics Letters.
43. 张兴尧，郭旗，陆妩，于新（2015）. NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 《核技术》.
44. 刘默寒，陆妩，马武英，王信，郭旗，何承发，姜柯（2015）. 偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响. 《核技术》.
45. 姜柯，陆妩，马武英，郭旗，何承发，王信，曾俊哲，刘默涵（2015）. 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性. 《原子能科学技术》.
46. 郑齐文，崔江维，周航，余德昭，余学峰，陆妩，郭旗，任迪远 (2015). Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation. Chinese Physics B.
47. 姜柯，陆妩，郭旗，何承发，王信，刘默寒，李小龙 (2015). Proton radiation effect of NPN-input operational amplifier under different bias conditions. Journal of Semiconductors.
48. 邓伟，陆妩，郭旗，何承发，吴雪，王信，张晋新，张孝富，郑齐文，马武英（2014）. 变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用. 《原子能科学技术》.
49. 马武英，陆妩，郭旗，吴雪，孙静，邓伟，王信，吴正新（2014）. 双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法. 《原子能科学技术》.
50. 吴雪，陆妩，王信，郭旗，张兴尧，于新（2014）. 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究. 《原子能科学技术》.
51. 王育新，胡蓉彬，李儒章，陈光柄，付东兵，陆妩 (2014). Total dose effects on the matching properties of deep submicron MOS transistors. Journal of Semiconductors.
52. 胡蓉彬，王育新，陆妩 (2014). The total dose effects on the 1/f noise of deep submicron CMOS transistors. Journal of Semiconductors.
53. 吴雪，陆妩，李豫东，郭旗，王信，张兴尧，于新，马武英 (2014). The total ionizing dose effect in 12-bit, 125 MSPS analog-to-digital converters. Journal of Semiconductors.
54. 胡天乐，陆妩，何承发，席善斌，周东，胥佳灵，吴雪（2013）. 双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性. 《原子能科学技术》.
55. 吴正新，何承发，陆妩，郭旗，艾尔肯阿不列木，于新，张磊，邓伟，郑齐文（2013）. X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究. 《核技术》.
56. 王信，陆妩，郭旗，吴雪，席善斌，邓伟，崔江维，张晋新（2013）. 12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应. 《原子能科学技术》.
57. 吴正新，何承发，陆妩，艾尔肯·阿不列木，艾克拜尔·吐合提，刘南君（2013）. 基于mcnp5程序研究60Co γ射线的剂量增强效应. 《新疆大学学报(自然科学版中英文)》.
58. 邓伟，陆妩，吴雪，郭旗，何承发，王信，张晋新，张孝富，吴正新，马武英（2013）. 双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响. 《固体电子学研究与进展》.
59. 张孝富，李豫东，郭旗，陆妩 (2013). Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells. Chinese Physics Letters.
60. 吴雪，陆妩，王义元，胥佳灵，张乐情，卢健，于新，张兴尧，胡天乐 (2013). Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter. Journal of Semiconductors.
61. 王信，陆妩，郭旗，吴雪，席善斌，邓伟，崔江维，张晋新 (2013). Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters. Journal of Semiconductors.
62. 李豫东，郭旗，陆妩，周东，何承发，余学峰（2012）. CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究. 《原子能科学技术》.
63. 李豫东，张乐情，郭旗，陆妩，文林，张孝富（2012）. CCD的辐射损伤参数测试方法. 《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
64. 席善斌，陆妩，王志宽，任迪远，周东，文林，孙静（2012）. 氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响. 《核技术》.
65. 席善斌，陆妩，任迪远，王志宽，周东，文林，孙静（2012）. 栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应. 《核技术》.
66. 许发月，陆妩，王义元，席善斌，李明，王飞，周东（2012）. PNP输入双极运算放大器的辐射效应. 《原子能科学技术》.
67. 胥佳灵，陆妩，吴雪，何承发，胡天乐，卢健，张乐情，于新（2012）. 不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应. 《核电子学与探测技术》.
68. 王义元，陆妩，任迪远，吴雪，席善斌，高博，徐发月（2012）. 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应. 《原子能科学技术》.
69. 席善斌，陆妩，任迪远，周东，文林，孙静，吴雪（2012）. 栅扫描法分离栅控横向PNP双极晶体管辐照感生缺陷. 《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）》.
70. 席善斌，陆妩，王志宽，任迪远，周东，文林，孙静（2012）. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷. 《物理学报》.
71. 陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，郭旗，余学峰，何承发（2012）. 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应. 《太赫兹科学与电子信息学报》.
72. 陈睿，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，费武雄，李茂顺，兰博（2011）. 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应. 《核电子学与探测技术》.
73. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，陈睿，费武雄（2011）. 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应. 《原子能科学技术》.
74. 席善斌，王志宽，陆妩，王义元，许发月，周东，李明，王飞，杨永晖（2011）. 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响. 《核技术》.
75. 费武雄，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，陈睿，王志宽，杨永晖，李茂顺，兰博，崔江维，赵云（2011）. 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应. 《原子能科学技术》.
76. 吴雪，陆妩，王义元，胥佳灵，张乐情，卢健，于新，胡天乐（2011）. 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应. 《核技术》.
77. 许发月，陆妩，王义元，席善斌，李明，王飞，周东（2011）. PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的60Coγ辐照高温退火评估方法. 《核技术》.
78. 陆妩，郑玉展，王义元，任迪远，郭旗，王志宽，王健安 (2011). Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors. Chinese Physics C.
79. 王义元，陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，高博 (2011). The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases. Journal of Semiconductors.
80. 陈睿，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，费武雄，李茂顺，兰博，崔江维（2010）. 10位双极模数转换器的电离辐射效应. 《第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
81. 李豫东，郭旗，陆妩，余学峰，何承发，李茂顺，兰博（2010）. CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究. 《第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
82. 王义元，陆妩，任迪远，高博，席善斌，许发月（2010）. 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应. 《第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会》.
83. 席善斌，陆妩，郑玉展，许发月，周东，李明，王飞，王志宽，杨永晖（2010）. 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应. 《原子能科学技术》.
84. 费武雄，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，陈睿，李茂顺，兰博，崔江维，赵云，王志宽，杨永晖（2010）. 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用. 《原子能科学技术》.
85. 陈睿，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，费武雄，李茂顺，兰博，崔江维（2010）. 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应. 《原子能科学技术》.
86. 陆妩，郑玉展，任迪远，郭旗，余学峰（2010）. 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响. 《原子能科学技术》.
87. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，陈睿（2010）. 三端稳压器的总剂量效应. 《核技术》.
88. 郑玉展，陆妩，任迪远，王义元，陈睿，费武雄（2010）. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤. 《核技术》.
89. 费武雄，陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，陈睿，王志宽，杨永晖，李茂顺，兰博，崔江维，赵云（2010）. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响. 《核技术》.
90. 郑玉展，陆妩，任迪远，王义元，王志宽，杨永晖 (2010). Impact of doped boron concentration in emitter on high-and low-dose-rate damage in lateral PNP transistors. Journal of Semiconductors.
91. 陈朝阳，范艳伟，刘艳平，王军华，巴维真，郭旗，常爱民，陆妩（2009）. 碱土金属硫化物光激励材料在辐射剂量测量中的应用. 《光谱学与光谱分析》.
92. 何承发，郭旗，陆妩，任迪远，余学峰，文林，孙静，赵云（2009）. γ射线在不同材料吸收剂量换算的Monte carlo模拟. 《中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第6册）》.
93. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，陈睿（2009）. 通用三端稳压器的总剂量效应. 《中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第7册）》.
94. 郑玉展，陆妩，任迪远，王义元，陈睿，费武雄（2009）. 工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响. 《中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第7册）》.
95. 孙静，郭旗，张军，任迪远，陆妩，余学锋，文林，王改丽，郑玉展（2009）. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响. 《微电子学》.
96. 陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，郭旗，余学峰（2009）. 双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法. 《原子能科学技术》.
97. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，李鹏伟，于跃（2009）. 不同60Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应. 《原子能科学技术》.
98. 陆妩，任迪远，郑玉展，王义元，郭旗，余学峰，何承发（2009）. NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为. 《电子产品可靠性与环境试验》.
99. 张华林，陆妩，任迪远，唐贵平（2009）. PMOS管的低剂量率辐射损伤增强效应. 《固体电子学研究与进展》.
100. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，李鹏伟，于跃（2009）. 10位双极数模转换器的电离辐射效应. 《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》.
101. 郑玉展，陆妩，任迪远，王义元，郭旗，余学锋，何承发（2009）. 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性. 《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》.
102. 陆妩，任迪远，郑玉展，郭旗，余学峰（2009）. 双极运算放大器ELDRS效应的变温加速辐照方法研究. 《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》.
103. 郑玉展，陆妩，任迪远，王义元，郭旗，余学锋 (2009). Annealing behavior of radiation damage in JFET-input operational amplifiers. Journal of Semiconductors.
104. 郑玉展，陆妩，任迪远，王改丽，余学锋，郭旗 (2009). ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor. Chinese Physics C.
105. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，李鹏伟，于跃（2008）. 12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应. 《核技术》.
106. 郑玉展，陆妩，任迪远，郭旗，余学锋，吕晓龙，王义元（2008）. 不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究. 《第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
107. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，李鹏伟，于跃（2008）. 国产双极数模转换器不同剂量率的辐射效应. 《第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（2）》.
108. 郑玉展，陆妩，任迪远，王改丽，文林，孙静（2008）. 双极运算放大器辐射损伤效应研究. 《核技术》.
109. 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰（2008）. 不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为. 《2008第六届电子产品防护技术研讨会》.
110. 刘艳平，陈朝阳，范艳伟，巴维真，郭旗，陆妩，汤新强，杜彦召 (2008). The study on optically stimulated luminescence dosimeter based on the SrS:Eu,Sm and CaS:Eu,Sm. Chinese Physics B.
111. 陆妩，任迪远，郑玉展，郭旗，余学锋（2008）. 不同工艺条件对双极晶体管ELDRS效应的影响. 《中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会》.
112. 王义元，陆妩，任迪远，郑玉展，高博，李鹏伟，于跃（2008）. 国产10位D/A转换器不同剂量率的电离效应. 《第四届西部十二省（区）市物理学会联合学术交流会论文集》.
113. 刘秋江，陈朝阳，范艳伟，巴维真，丛秀云，汤新强，郭旗，陆妩，朱磊（2007）. 光致荧光剂量计的研究. 《核电子学与探测技术》.
114. 汪东，陆妩，任迪远，李爱武，匡治兵，张华林（2007）. 双极晶体管不同温度的退火效应与机理. 《核电子学与探测技术》.
115. 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰（2007）. 双极运算放大器ELDRS效应的变剂量率实验室加速模拟方法初探. 《2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会》.
116. 余学峰，艾尔肯，任迪远，郭旗，张国强，陆妩（2006）. MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性. 《核技术》.
117. 余学峰，张国强，艾尔肯，郭旗，陆妩，任迪远（2006）. Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布. 《核电子学与探测技术》.
118. 高嵩，陆妩，任迪远，牛振红，刘刚（2006）. JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究. 《核技术》.
119. 余学峰，艾尔肯，任迪远，张国强，陆妩，郭旗（2006）. MOSFET的热载流子损伤及其退火. 《固体电子学研究与进展》.
120. 任迪远，陆妩，余学锋，郭旗，艾尔肯（2006）. 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究. 《固体电子学研究与进展》.
121. 高嵩，陆妩，任迪远，牛振红，刘刚（2006）. 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性. Journal of Semiconductors.
122. 陆妩，任迪远，郭旗，余学锋，郑毓峰，张军（2005）. 栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系. 《核技术》.
123. 匡治兵，郭旗，吾勤之，任迪远，陆妩（2005）. 大规模存储器电离辐射试验方法. 《微电子学》.
124. 陆妩，余学锋，任迪远，艾尔肯，郭旗（2005）. 双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性. 《核技术》.
125. 汪东，陆妩，任迪远，郭旗，何承发（2005）. 双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究. 《微电子学》.
126. 任迪远，陆妩，余学锋，郭旗，艾尔肯（2005）. 双极运算放大器在不同剂量率下的辐射损伤效应. 《第十一届全国可靠性物理学术讨论会》.
127. 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，艾尔肯（2005）. JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性. 《第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集》.
128. 余学峰，任迪远，艾尔肯，张国强，陆妩，郭旗（2005）. MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性. Journal of Semiconductors.
129. 张华林，陆妩，任迪远，崔帅（2004）. 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响. 《微电子学》.
130. 艾尔肯，郭旗，任迪远，余学峰，陆妩，严荣良（2004）. 超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征. 《核技术》.
131. 艾尔肯，余学峰，郭旗，严荣良，陆妩，张国强，任迪远（2003）. 总剂量辐射对高速电路时间特性的影响. 《核技术》.
132. 艾尔肯，严荣良，余学锋，郭旗，陆妩，任迪远，苏秀娣（2003）. 54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究. 《核技术》.
133. 艾尔肯，郭旗，任迪远，余学峰，陆妩，严荣良（2003）. 一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性. 《核技术》.
134. 陆妩，郭旗，余学锋，任迪远，郑毓峰，张军（2003）. 注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性. 《核技术》.
135. 陆妩，任迪远，郭旗，余学锋，张军，郑毓峰（2003）. CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应. 《微电子学》.
136. 陆妩，郭旗，任迪远，余学锋，张国强，严荣良，王明刚，胡浴红，赵文魁（2002）. CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析. 《核技术》.
137. 余学峰，艾尔肯，任迪远，张国强，陆妩，郭旗，范隆，严荣良（2000）. MOSFET的热载子损伤及其退火恢复. 《第十届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
138. 郭旗，陆妩，任迪远，余学锋，张国强，范隆，严荣良（2000）. CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统. 《核技术》.
139. 范隆，严荣良，张国强，余学锋，陆妩，郭旗，赵元富（2000）. PMOS剂量计的长期室温退火. 《核技术》.
140. 肖鹏，陈昌彦，胡永贵，夏培邦，黄燕，余学锋，郭旗，陆妩（2000）. 低能X射线源与 60 γ源的等效研究. 《第十届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
141. 余学峰，艾尔肯，张国强，任迪远，陆妩，郭旗，严荣良（2000）. MOS电容的衬底热电子注入响应特性. 《核技术》.
142. 范隆，任迪远，郭旗，张国强，严荣良，陆妩（1999）. PMOS剂量计的剂量率效应. 《核技术》.
143. 陆妩，任迪远，郭旗，余学锋，范隆，张国强，严荣良（1999）. CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应. 《核技术》.
144. 陆妩，郭旗，任迪远，余学锋，张国强，范隆，严荣良，赵元富，胡浴红，王明刚（1998）. CMOS运算放大器恒流偏置电路的电离辐射损伤特性. 《第9届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
145. 余学峰，严荣良，郭旗，陆妩，张国强，任迪远（1998）. 电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究. 《第9届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集》.
146. 张国强，郭旗，艾尔肯，余学锋，陆妩，范隆，任迪远，严荣良（1998）. 注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应. 《第9届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
147. 郭旗，陆妩，余学锋，任迪远，严荣良（1998）. 高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应. 《核技术》.
148. 余学峰，郭旗，任迪远，陆妩，张国强，严荣良（1998）. 电子元器件总剂量辐照在线测试系统及其应用. 《核电子学与探测技术》.
149. 陆妩，任迪远，郭旗，余学锋，严荣良（1997）. CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应. 《核电子学与探测技术》.
150. 余学锋，任迪远，陆妩，郭旗，严荣良（1997）. SOS-CMOS电路的电离辐照响应特性. 《核电子学与探测技术》.
151. 陆妩，郭旗，余学锋，张国强，任迪远，严荣良（1997）. CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性. 《核技术》.
152. 任迪远，余学锋，郭旗，陆妩，严荣良（1997）. L82C87集成电路的总剂量辐射效应研究. 《核技术》.
153. 余学锋，任迪远，陆妩，张国强，郭旗，严荣良（1997）. 4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流. 《核技术》.
154. 郭旗，任迪远，范隆，陆妩，余学锋，严荣良（1997）. 模数转换器的60Coγ射线和电子辐照效应. 《核技术》.
155. 张国强，陆妩，余学锋，郭旗，任迪远，严荣良，赵元富，胡浴红（1996）. 注F场氧介质总剂量辐照的研究. 《第8届全国核电子学与核探测技术学术年会》.
156. 严荣良，张国强，余学锋，任迪远，陆妩，赵元富，胡浴红（1994）. HCl掺入量对MOSFET电离辐照特性的影响. 《第7届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（三）》.
157. 高文钰，任迪远，陆妩，严荣良，赵元富，李荫波（1993）. 高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应. 《核技术》.
158. 任迪远，陆妩，余学峰，范隆，高文钰，严荣良（1993）. 线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估. 《核技术》.
159. 李杰，王缙，严荣良，陆妩，余学锋（1991）. Si-SiO2界面的辐射感生界面态. 《核技术》.
160. 李杰，王缙，董亮初，严荣良，余学锋，张玲珊，陆妩，米拉提汗（1990）. CCD电离辐射加固工艺研究. 《核电子学与探测技术》.
161. 任迪远，米拉提汗，张玲珊，陆妩，严荣良（1988）. 中规模CMOS电路的电离辐射效应. 《微电子学》.