郑有炓

期刊论文

1. 赵耕右，汤琨，杨凯，冯博，顾梁雪，熊翔，陶涛，刘斌，叶建东，张荣，郑有炓，顾书林 (2026). High-mobility, low-resistive boron-doped diamond material realized by oxygen assistance. Chinese Physics B.
2. 武文潇，于翔宇，甘云海，李悦文，郑有炓，张荣，修向前（2026）. 基于Ga-Ga2O3反应的OVPE法GaN生长研究. 《人工晶体学报》.DOI
3. 郭予宸，姜永昌，陆晓，潘力佳，施毅，郑有炓（2025）. 电子皮肤及其在泛在健康监测中的应用. 《科学》.
4. 邹宣沛，陈鹏，徐彤，谢自立，赵红，施毅，张荣，郑有炓（2025）. 六边m面侧壁Micro-LED芯片制备及其光学特性研究. 《光电子技术》.
5. 瞿昊，徐尉宗，赵九州，周东，任芳芳，周峰，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海 (2025). 4H-SiC-based soft X-ray single photon detector with linear photon energy response. Chinese Optics Letters.
6. 许万里，甘云海，李悦文，李彬，郑有炓，张荣，修向前（2025）. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究. 《人工晶体学报》.DOI
7. 刘斌，陶涛，庄喆，陈敦军，李金钗，黄凯，康俊勇，张荣，郑有炓（2024）. 氮化镓基Micro-LED材料外延与器件制备、集成工艺及应用. 《第八届粤港澳真空科技创新发展论坛暨2024年广东省真空学会学术年会论文集》.DOI
8. 徐彤，陈鹏，李玉银，谢自立，赵红，施毅，张荣，郑有炓（2024）. 六边形micro-LED台面制备及光学特性研究. 《光电子技术》.
9. 陈凯，赵见国，丁宇，胡文晓，刘斌，陶涛，庄喆，严羽，谢自力，常建华，张荣，郑有炓 (2024). Effects of Mg-doping temperature on the structural and electrical properties of nonpolar a-plane p-type GaN films. Chinese Physics B.
10. 顾梁雪，杨凯，滕妍，赵伟康，赵耕右，凡康康，冯博，张荣，郑有炓，叶建东，朱顺明，汤琨，顾书林 (2024). Diamond-based electron emission:Structure, properties and mechanisms. Chinese Physics B.
11. 周峰，荣玉，郑有炓，陆海（2024）. GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究. 《电子元件与材料》.
12. 杨霈辰，王一夫，徐尉宗，周东，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海 (2024). Ultraviolet spot position measurement based on 4 H-SiC quadrant photodetectors. Chinese Optics Letters.
13. 梁潇，李思琦，王中伟，邵鹏飞，陈松林，陶涛，谢自力，刘斌，陈敦军，郑有炓，张荣，王科（2023）. 分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究. 《人工晶体学报》.
14. 李会，贾先韬，周玉刚，张荣，郑有炓（2023）. GaN基蓝光micro-LED的结温和载流子温度研究. 《半导体光电》.
15. 殷杰，潘赛，周玉刚，张荣，郑有炓（2023）. Ag/p-GaN欧姆接触的图形化及表面处理工艺研究. 《半导体光电》.
16. 郭力健，徐尉宗，位祺，刘兴华，李天义，周东，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海 (2023). Demonstration and modeling of unipolar-carrier-conduction GaN Schottky-pn junction diode with low turn-on voltage. Chinese Physics B.
17. 郝礼才，陈子昂，刘东阳，赵伟康，张鸣，汤琨，朱顺明，叶建东，张荣，郑有炓，顾书林 (2023). Suppression and compensation effect of oxygen on the behavior of heavily boron-doped diamond films. Chinese Physics B.
18. 刘东阳，汤琨，朱顺明，张荣，郑有炓，顾书林 (2023). Effects of oxygen/nitrogen co-incorporation on regulation of growth and properties of boron-doped diamond films. Chinese Physics B.
19. 刘欢，邵鹏飞，陈松林，周辉，李思琦，陶涛，谢自力，刘斌，陈敦军，郑有炓，张荣，王科（2023）. 金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜. 《人工晶体学报》.
20. 汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，纪晓丽，任芳芳，杨燚，顾书林，郑有炓，张荣，叶建东（2023）. NiO/Ga2O3p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双极型电荷输运研究（英文）. Science China Materials.
21. 刘东阳，郝礼才，赵伟康，陈子昂，汤琨，朱顺明，叶建东，张荣，郑有炓，顾书林 (2022). Effect of oxygen on regulation of properties of moderately boron-doped diamond films. Chinese Physics B.
22. 赵见国，陈凯，宫毛高，胡文晓，刘斌，陶涛，严羽，谢自力，李元元，常建华，王潇璇，崔乾楠，徐春祥，张荣，郑有炓 (2022). Epitaxial Growth and Characteristics of Nonpolar a-Plane InGaN Films with Blue-Green-Red Emission and Entire In Content Range. Chinese Physics Letters.
23. 滕妍，刘东阳，汤琨，赵伟康，陈子昂，黄颖蒙，段晶晶，卞岳，叶建东，朱顺明，张荣，郑有炓，顾书林 (2022). Origin, characteristics, and suppression of residual nitrogen in MPCVD diamond growth reactor. Chinese Physics B.
24. 刘兴华，任芳芳，叶建东，王书晓，徐尉宗，周东，余明斌，张荣，郑有炓，陆海 (2022). Enhanced single photon emission in silicon carbide with Bull's eye cavities. Chinese Physics B.
25. 李振华，邵鹏飞，施根俊，吴耀政，汪正鹏，李思琦，张东祺，陶涛，徐庆君，谢自力，叶建东，陈敦军，刘斌，王科，郑有炓，张荣 (2022). Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of Ga N with low growth rates and their properties. Chinese Physics B.
26. 冒小康，王凇，陈鹏，施毅，张荣，郑有炓（2021）. GaN微盘中激子与光子的耦合作用研究. 《光电子技术》.DOI
27. 潘传真，陈鹏，徐儒，丰建波，赵红，施毅，张荣，郑有炓（2021）. 表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究. 《固体电子学研究与进展》.DOI
28. 郑有炓（2021）. 第三代半导体迎来新发展机遇. 《科技导报》.
29. 王轩，陶涛，刘斌，许非凡，梁师豪，苗涛，刘晓燕，智婷，谢自力，张荣，郑有炓（2021）. 基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究. 《半导体光电》.DOI
30. 苏琳琳，徐尉宗，周东，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海 (2021). Avalanche mechanism analysis of 4H-SiC n-i-p and p-i-n avalanche photodiodes working in Geiger mode. Chinese Optics Letters.
31. 蒋府龙，许非凡，刘召军，刘斌，郑有炓（2020）. 氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展. 《人工晶体学报》.DOI
32. 丁姗，李悦文，修向前，华雪梅，谢自力，陶涛，陈鹏，刘斌，张荣，郑有炓 (2020). Comparison study of GaN films grown on porous and planar GaN templates. Chinese Physics B.
33. 梁志斌，张齐轩，许朝军，周玉刚，陆海，张荣，郑有炓（2020）. 基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究. 《半导体光电》.DOI
34. 刘梦涵，陈鹏，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，韩平，施毅，张荣，郑有炓，程凯，张丽阳 (2020). Approach to Single-Mode Dominated Resonant Emission in Ga N-Based Square Microdisks on Si. Chinese Physics Letters.
35. 刘梦涵，陈鹏，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，韩平，施毅，张荣，郑有炓，程凯，张丽阳 (2020). High-efficiency photon–electron coupling resonant emission in GaN-based microdisks on Si. Chinese Physics B.
36. 徐庆君，张士英，刘斌，李振华，陶涛，谢自力，修向前，陈敦军，陈鹏，韩平，王科，张荣，郑有炓 (2020). Mg acceptor activation mechanism and hole transport characteristics in highly Mg-doped AlGaN alloys. Chinese Physics B.
37. 苏琳琳，周东，刘清，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海 (2020). Effect of a Single Threading Dislocation on Electrical and Single Photon Detection Characteristics of 4H-SiC Ultraviolet Avalanche Photodiodes. Chinese Physics Letters.
38. 刘燕丽，王伟，董燕，陈敦军，张荣，郑有炓（2019）. 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响. 《物理学报》.
39. 张熬，陈鹏，周婧，李一萌，杨云飞，冒小康，葛成，施毅，张荣，郑有炓（2019）. 半导体的禁带宽度与温度关系研究. 《光电子技术》.DOI
40. 张彦芳，陈选虎，徐阳，任芳芳，顾书林，张荣，郑有炓，叶建东 (2019). Transition of photoconductive and photovoltaic operation modes in amorphous Ga2O3-based solar-blind detectors tuned by oxygen vacancies. Chinese Physics B.
41. 蔡小龙，周东，程亮，任芳芳，钟宏，张荣，郑有炓，陆海 (2019). Performance improvement of 4H-SiC PIN ultraviolet avalanche photodiodes with different intrinsic layer thicknesses. Chinese Physics B.
42. 徐阳，陈选虎，程亮，任芳芳，周建军，柏松，陆海，顾书林，张荣，郑有炓，叶建东 (2019). High performance lateral Schottky diodes based on quasi-degenerated Ga2O3. Chinese Physics B.
43. 王琦，余俊驰，陶涛，刘斌，智婷，岑旭，谢自力，修向前，周玉刚，郑有炓，张荣 (2019). Fabrication and Characterization of GaN-Based Micro-LEDs on Silicon Substrate. Chinese Physics Letters.
44. 程菲，李悦文，赵红，修向前，贾志泰，刘铎，华雪梅，谢自力，陶涛，陈鹏，刘斌，张荣，郑有炓 (2019). Study on the nitridation of β-Ga2O3films. Chinese Physics B.
45. 王爽，李悦文，修向前，张丽颖，华雪梅，谢自力，陶涛，刘斌，陈鹏，张荣，郑有炓 (2019). Synthesis and characterization of β-Ga2O3@GaN nanowires. Chinese Physics B.
46. 高鹏，方华杰，蒋府龙，刘梦涵，徐儒，周婧，张熬，陈鹏，刘斌，修向前，谢自立，韩平，施毅，张荣，郑有炓（2018）. AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制. 《微纳电子技术》.
47. 方华杰，高鹏，蒋府龙，刘梦涵，徐儒，周婧，张熬，陈鹏，刘斌，修向前，谢自立，韩平，施毅，张荣，郑有炓（2018）. GaN微盘模式分布与强度研究. 《光电子技术》.
48. 熊泽宁，修向前，李悦文，华雪梅，谢自力，陈鹏，刘斌，韩平，张荣，郑有炓 (2018). Growth of β-Ga2O3Films on Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy. Chinese Physics Letters.
49. 付润定，庄德津，修向前，谢自力，陈鹏，张荣，郑有炓（2018）. AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究. 《陶瓷学报》.
50. 朱宇霞，陈琳，顾世浦，修向前，张荣，郑有炓（2018）. 大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟. 《半导体技术》.
51. 刘亚莹，蒋府龙，刘梦涵，方华杰，高鹏，陈鹏，施毅，张荣，郑有炓（2017）. InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响. 《微纳电子技术》.
52. 陈丁丁，陈琳，修向前，李悦文，付润定，华雪梅，谢自力，刘斌，陈鹏，张荣，郑有炓（2017）. 石墨烯上生长GaN纳米线的研究. 《半导体光电》.
53. 徐峰，陈鹏，蒋府龙，刘亚云，谢自立，修向前，华雪梅，施毅，张荣，郑有炓 (2017). High-efficiency InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with lattice-matched AlInGaN superlattices barrier. Chinese Physics B.
54. 莫晓帆，徐尉宗，陆海，周东，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓 (2017). Fabrication and Characterization of a GaN-Based 320×256 Micro-LED Array. Chinese Physics Letters.
55. 汤寅，蔡青，杨莲红，董可秀，陈敦军，陆海，张荣，郑有炓 (2017). High-Gain N-Face AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes Using a Heterostructure as Separate Absorption and Multiplication Regions. Chinese Physics Letters.
56. 汤寅，蔡青，杨莲红，董可秀，陈敦军，陆海，张荣，郑有炓 (2017). An improved design for Al Ga N solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization. Chinese Physics B.
57. 徐庆君，刘斌，张士英，陶涛，谢自力，修向前，陈敦军，陈鹏，韩平，张荣，郑有炓 (2017). Structural characterization of Al0.55Ga0.45N epitaxial layer determined by high resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy. Chinese Physics B.
58. 汤琨，顾书林，叶建东，朱顺明，张荣，郑有炓 (2017). Recent progress of the native defects and p-type doping of zinc oxide. Chinese Physics B.
59. 薛俊俊，蔡青，张保花，葛梅，陈敦军，智婷，陈将伟，汪联辉，张荣，郑有炓 (2017). Structural characterization of indium-rich nanoprecipitate in InGaN V-pits formed by annealing. Chinese Physics B.
60. 周东，陆海，陈敦军，任芳芳，张荣，郑有炓（2016）. 新一代宽禁带半导体紫外光电探测器. 《光源与照明》.
61. 智婷，陶涛，刘斌，庄喆，谢自力，陈鹏，张荣，郑有炓（2016）. GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性. 《发光学报》.
62. 杨华，谢自力，戴姜平，修向前，赵红，陈鹏，张荣，施毅，韩平，郑有炓（2015）. GaN纳米柱发光特性. 《发光学报》.
63. 陆海，陈敦军，张荣，郑有炓（2014）. 高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器. 《南京大学学报(自然科学)》.
64. 庄喆，刘斌，张荣，李烨操，谢自力，陈鹏，赵红，修向前，郑有炓（2013）. 纳米压印技术在LED器件制备中的应用. 《激光与光电子学进展》.
65. 郑有炓（2013）. 氮化物半导体材料发展现状与展望. 《2013海峡两岸功能材料科技与产业峰会摘要集》.
66. 滕龙，于治国，杨濛，张荣，谢自力，刘斌，陈鹏，韩平，郑有炓，施毅（2012）. GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析. 《微纳电子技术》.
67. 陶志阔，张荣，陈琳，修向前，谢自力，郑有炓（2012）. Fe/GaN、Fe3N/GaN的生长及其性能研究. 《功能材料》.
68. 朱顺明，黄时敏，顾书林，朱振邦，顾然，郑有炓（2012）. MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究. 《发光学报》.
69. 朱振邦，顾书林，朱顺明，叶建东，黄时敏，顾然，郑有炓（2012）. ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究. 《发光学报》.
70. 曹瑞华，殷垚，陈鹏，万青，濮林，施毅，郑有炓（2011）. InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究. 《固体电子学研究与进展》.
71. 颜怀跃，修向前，华雪梅，刘战辉，周安，张荣，谢自力，韩平，施毅，郑有炓（2011）. Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长. 《功能材料》.
72. 陈国强，陈敦军，刘斌，谢自力，韩平，张荣，郑有炓（2008）. AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响. 《功能材料与器件学报》.
73. 王荣华，韩平，曹亮，梅琴，吴军，葛瑞萍，谢自力，陈鹏，陆海，顾书林，张荣，郑有炓（2008）. GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长. 《真空科学与技术学报》.
74. 刘少波，顾书林，刘伟，张丹羽，刘雪冬，朱顺明，丁维平，张荣，郑有炓（2008）. 纳米ZnO生长及性质分析. 《发光学报》.
75. 单正平，顾书林，朱顺明，刘伟，刘少波，刘雪冬，汤琨，张荣，郑有炓（2008）. N掺杂ZnO薄膜的接触特性. 《发光学报》.
76. 刘雪冬，顾书林，李峰，朱顺明，刘伟，叶建东，单正平，刘少波，汤琨，朱光耀，张荣，郑有炓（2008）. MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响. 《发光学报》.
77. 吴超，谢自力，张荣，张曾，刘斌，刘启佳，聂超，李弋，韩平，陈鹏，陆海，郑有炓（2008）. Mg掺杂AlGaN的特性研究. 《微纳电子技术》.
78. 谢自力，张荣，江若琏，刘斌，龚海梅，赵红，修向前，韩平，施毅，郑有炓（2008）. AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究. 《功能材料》.
79. 李弋，刘斌，谢自力，张荣，修向前，江若琏，韩平，顾书林，施毅，郑有炓（2008）. 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度. 《功能材料》.
80. 赵红，张荣，谢自力，刘斌，梅琴，修向前，陆海，江若琏，韩平，郑有炓（2007）. 阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
81. 刘启佳，张荣，谢自力，刘斌，徐峰，聂超，郑有炓（2007）. 生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响. 《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》.
82. 张荣，修向前，崔旭高，陶志阔，李斌斌，刘斌，李杰，郑有炓，许建斌（2007）. 宽禁带半导体自旋电子材料研究. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
83. 陶志阔，张荣，崔旭高，修向前，谢自力，顾书林，韩平，施毅，江若琏，郑有炓（2007）. 应用MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
84. 刘斌，张荣，谢自力，张曾，李亮，刘启佳，赵红，修向前，陈鹏，陆海，顾书林，江若琏，韩平，施毅，郑有炓（2007）. P型Al x Ga 1-x N（0≤x≤0．31）薄膜光电学性质研究. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
85. 陈国强，陈敦军，刘斌，谢自力，韩平，张荣，郑有炓（2007）. 不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
86. 崔旭高，张荣，陶志阔，李星，刘斌，严文生，谢自力，修向前，郑有炓（2007）. 利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
87. 施毅，濮林，潘力佳，陈鹏，王军转，张荣，郑有炓（2007）. 半导体异质结构纳米线及其光电子器件. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
88. 江若琏，姬小利，周建军，谢自力，刘斌，韩平，张荣，郑有炓，龚海（2007）. GaN基共振腔增强型紫外探测器的研究. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
89. 张曾，张荣，谢自力，刘斌，修向前，江若琏，韩平，顾书林，施毅，郑有炓（2007）. InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
90. 张荣，谢自力，韩平，刘斌，孔洁莹，严文生，刘成祥，郑有炓，周圣明（2007）. Ⅲ族氮化物半导体极化调控. 《第十六届全国半导体物理学术会议》.
91. 郑有炓，张荣（2007）. 半导体光电子技术的新进展. 《全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议论文集》.
92. 张国煜，修向前，张荣，谢自力，陈琳，陶志阔，崔旭高，徐小农，郑有炓（2007）. 高温高压条件合成Co掺杂的ZnO基DMS及其磁性特征. 《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》.
93. 王荣华，韩平，曹亮，王琦，梅琴，夏冬梅，谢自力，陆海，陈鹏，顾书林，张荣，郑有炓（2007）. GaN/Al 2 O 3 （0001）上Ge薄膜的CVD外延生长. 《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》.
94. 陈敦军，张开骁，沈波，邓咏桢，濮林，张荣，施毅，郑有炓（2004）. GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性. 《光学学报》.
95. 陈晓清，谢自力，张荣，修向前，顾书林，韩平，施毅，郑有炓（2004）. 退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响. 《微纳电子技术》.
96. 焦刚，曹春海，薛舫时，杨立杰，王泉慧，王柏年，金龙，张卫红，沈波，周玉刚，郑有炓（2004）. AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制. 《固体电子学研究与进展》.
97. 谢自力，张荣，毕朝霞，刘斌，修向前，顾书林，江若琏，韩平，朱顺明，沈波，施毅，郑有炓（2004）. InN材料及其应用. 《微纳电子技术》.
98. 毕朝霞，张荣，邓娜，顾书林，沈波，施毅，郑有炓（2002）. GaN基光发射二极管中深能级研究. 《固体电子学研究与进展》.
99. 叶建东，顾书林，王立宗，张荣，施毅，郑有炓（2002）. 掺碳氮化镓的光学性质. Journal of Semiconductors.
100. 陈志忠，秦志新，沈波，朱建民，郑有炓，张国义（2002）. 氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质. 《发光学报》.
101. 刘杰，沈波，周玉刚，周慧梅，郑泽伟，张荣，施毅，郑有炓（2002）. 调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触. 《固体电子学研究与进展》.
102. 卢佃清，张荣，修向前，李杰，顾书林，沈波，施毅，郑有炓（2002）. 载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响. 《固体电子学研究与进展》.
103. 徐剑，张荣，王一平，修向前，顾书林，沈波，施毅，刘治国，郑有炓（2002）. GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究. 《固体电子学研究与进展》.
104. 修向前，张荣，卢佃清，顾书林，沈波，施毅，郑有炓（2002）. 额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响. 《固体电子学研究与进展》.
105. 叶建东，顾书林，朱顺明，胡立群，陈童，秦峰，张荣，施毅，沈波，江若琏，郑有炓（2002）. 低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质. 《固体电子学研究与进展》.
106. 谢世勇，郑有炓，陈鹏，张荣，周玉刚（2002）. 氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光. Journal of Semiconductors.
107. 谢世勇，郑有炓，陈鹏，张荣（2001）. GaN材料p型掺杂. 《固体电子学研究与进展》.
108. 张荣，顾书林，修向前，卢殿清，沈波，施毅，郑有炓，KUAN T S（2001）. 侧向外延生长GaN的结构特性(英文). 《发光学报》.
109. 俞慧强，张荣，周玉刚，沈波，顾书林，施毅，郑有炓（2001）. GaN基HFET的新进展. 《固体电子学研究与进展》.
110. 俞慧强，沈波，周玉刚，张荣，刘杰，周慧梅，施毅，郑有炓，Someya T，Arakawa Y（2001）. 电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应（英文）. 《发光学报》.
111. 沈波，李卫平，周玉刚，毕朝霞，张荣，郑泽伟，刘杰，周慧梅，施毅，刘治国，郑有炓，Someya T，Arakawa Y（2001）. Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）. 《发光学报》.
112. 沈波，张荣，郑有炓（2000）. 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的光致发光（英文）. 《功能材料与器件学报》.
113. 郑泽伟，沈波，张荣，桂永胜，蒋春萍，马智训，郑国珍，郭少令，施毅，韩平，郑有炓（2000）. 调制掺杂AlxGa1-xNGaN异质结磁输运研究（英文）. 《功能材料与器件学报》.
114. 赵作明，江若琏，陈鹏，席冬娟，沈波，郑有炓（2000）. Si基GaN上的欧姆接触. 《功能材料与器件学报》.
115. 江若琏，席冬娟，赵作明，陈鹏，沈波，张荣，郑有炓（2000）. 光导型GaN/Si探测器的研制. 《功能材料与器件学报》.
116. 顾书林，张荣，施毅，郑有炓，张宁，KUECH T F（2000）. 氢化气相外延氮化镓生长中气氛的作用研究(英文). 《功能材料与器件学报》.
117. 周玉刚，沈波，陈志忠，陈鹏，张荣，施毅，郑有炓（1999）. 光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓. Journal of Semiconductors.
118. 杨凯，张荣，臧岚，秦林洪，沈波，施洪涛，郑有炓，Z.C.Huang，J.C.Chen（1997）. MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究. 《固体电子学研究与进展》.
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