刘玉岭

期刊论文

1. Yuling Liu, Taotao Zeng, Chen-Yu Zhang, Zhanglong He, Mingqing Zuo, He Hao, Ze-Yan Zhou, Lei Han (2026). CeO2/Co3O4 p‐n Heterojunction as a Photo‐Responsive Bifunctional Electrocatalyst for Efficient Zinc‐Air Batteries. ENERGY & ENVIRONMENTAL MATERIALS.DOI
2. Yuling Liu, Tianqi Yang, Taotao Zeng, Hao He, Min Jiang, Ze-Yan Zhou, Yonggang Wang (2026). Copper-induced framework distortion in Na2FeP2O7 cathode enables ultra-high rate and ultrastable sodium-ion batteries. Chinese Chemical Letters.DOI
3. Jinjie Zhong, Yuling Liu, Zhanglong He, Taotao Zeng, Yu Long, Weizhi Peng, Rui-Long Liu, Shan Liu, Wei Xie, Hao He, Yonggang Wang (2026). Co-Fe dual-site-induced electronic reconstruction of α-MnO2 for durable rechargeable zinc-air batteries. Chinese Chemical Letters.DOI
4. Tianjian Xu, Taotao Zeng, Ningyi Zhang, Zhanglong He, Yuling Liu, Hao He, Zhao Liang, Zeyan Zhou, Shuai-Ming He (2025). Surface-engineered CeO bond architectures maximizing atomic efficiency for superior oxygen reduction in magnesium-air battery systems. Journal of Colloid and Interface Science.DOI
5. Weichen Zhang, Taotao Zeng, Yi Yu, Yuling Liu, Hao He, Ping Li, Ze-Yan Zhou (2025). Light-Driven Enhancement of Oxygen Evolution for Clean Energy Conversion: Co3O4-TiO2/CNTs P-N Heterojunction Catalysts Enabling Efficient Carrier Separation and Reduced Overpotential. Energies.DOI
6. Zhang-Long He, Liu Wang, Min Jiang, Jianan Xie, Shan Liu, Jin-Can Ren, Rui Sun, Wen Lv, Wei Guo, Yuling Liu, Bing Li, Qi Liu, Hao He (2024). Surface engineering on MnO2 nanorods by La single atoms to accelerate oxygen reduction kinetics. Rare Metals.DOI
7. Jianan Xie, Yilong Chen, Zhanglong He, Shan Liu, Yuling Liu, Bin Li, Tianjian Xu, Xiaohui Ning, Shu-Guang Chen, Taotao Zeng, Hao He (2024). Single-Atom Ni Anchored on α-MnO2 Nanorods as an Electrocatalyst for the Oxygen Evolution and Oxygen Reduction Reactions. ACS Applied Nano Materials.DOI
8. Bing Li, Xiang Liu, Yuling Liu, Tianjian Xu, Zhanglong He, Shan Liu, Jianan Xie, Yilong Chen, Xiaohui Ning, Hao He (2024). Enhanced oxygen reduction activity of α-MnO2 by NH3 plasma treatment. Nanotechnology.DOI
9. Shan Liu, Taotao Zeng, Zhanglong He, Mingqing Zuo, Shu-Guang Chen, Yuling Liu, Zheqiong Fan, Hao He, Qingyu Kong, Ze-Yan Zhou, Lei Han (2024). Synergistic effect of Ru single atoms and MnO2 to boost oxygen reduction/evolution activity via strong electronic interaction. Chemical Engineering Journal.DOI
10. Tongtong Zhang, Yuling Liu, Hongdong Zhao, Xiaodong Luan, Chong Luo (2024). The effects of α-sodium alkenesulfonate and alkylphenol polyoxyethylene ether phosphate on the inhibition of copper chemical mechanical polishing. Materials Science in Semiconductor Processing.DOI
11. 王海英，王辰伟，刘玉岭，赵红东，杨啸，陈志博，王雪洁（2023）. 铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制. 《电镀与涂饰》.
12. 刘光耀，王辰伟，刘玉岭，郭峰，马慧萍，王强（2023）. 工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响. 《电镀与涂饰》.
13. 刘光耀，王辰伟，周建伟，魏艺璇，张新颖，刘志，刘玉岭（2023）. 抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响. 《微纳电子技术》.
14. 王海英，王辰伟，刘玉岭，赵红东（2023）. 工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响. 《电子元件与材料》.
15. Yuling Liu, Zhanglong He, Bing Li, Shan Liu, Jianan Xie, Yilong Chen, Xiaohui Ning, Hao He (2023). Novel synthesis of low-loading Pt/graphene via thermal expansion and its superior ORR performance. Materials letters (General ed.).DOI
16. 崔志慧，王辰伟，刘玉岭，赵红东，续晨（2022）. 超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究. 《电子元件与材料》.
17. 魏艺璇，王辰伟，刘玉岭，赵红东（2022）. 不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响. 《电子元件与材料》.
18. Nengyuan Zeng, Yuling Liu, Yuanshen Cheng, Chong Luo, Hongdong Zhao (2022). Study on enhancement and mechanism of K2SO4 in CMP slurries for copper film polishing removal effect. Materials Science in Semiconductor Processing.DOI
19. 宋国强，檀柏梅，刘玉岭，王辰伟（2021）. AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响. 《应用化工》.DOI
20. 刘佳，潘国峰，刘玉岭，王辰伟，胡连军，李灿（2021）. 柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响. 《应用化工》.DOI
21. 霍兆晴，牛新环，刘玉岭，杨程辉，卢亚楠（2021）. 络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析. 《电子元件与材料》.DOI
22. 崔志慧，王辰伟，刘玉岭，赵红东，李红亮（2021）. 抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响. 《电子元件与材料》.DOI
23. Yi Xu, Tengda Ma, Yuling Liu, Baimei Tan, Shihao Zhang, Yazhen Wang, Guoqiang Song (2021). Effect of ethylenediamine on CMP performance of ruthenium in H 2 O 2 -based slurries. RSC Advances.DOI
24. Nengyuan Zeng, Chenwei Wang, Chong Luo, Hongdong Zhao, Yuling Liu, Wantang Wang, Tengda Ma (2021). An optimized passivation mechanism at the copper film recess for achieving efficient planarization of copper chemical mechanical polishing. Materials Science in Semiconductor Processing.DOI
25. Nengyuan Zeng, Hongdong Zhao, Chong Luo, Yuling Liu, Chenwei Wang, Tengda Ma, Wantang Wang (2021). Roles and mechanistic analysis of adenine as a green inhibitor in chemical mechanical polishing. Journal of Applied Electrochemistry.DOI
26. 张金，刘玉岭，闫辰奇（2020）. 氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响. 《电镀与精饰》.
27. 孙晓琴，檀柏梅，高宝红，牛新环，刘孟瑞，高鹏程，刘玉岭（2020）. 用于铜互连CMP工艺的络合剂研究进展. 《微电子学》.DOI
28. 高鹏程，檀柏梅，高宝红，牛新环，刘孟瑞，孙晓琴，刘玉岭（2020）. 化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展. 《半导体技术》.DOI
29. 曲里京，高宝红，王玄石，檀柏梅，刘玉岭（2020）. 铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展. 《半导体技术》.DOI
30. 王聪，刘玉岭，王辰伟，张辉辉，曾能源，罗翀（2020）. 复合表面活性剂在铜CMP中减少缺陷的作用. 《半导体技术》.DOI
31. Yi Xu, Baimei Tan, Lianjun Hu, Yuling Liu (2020). Synergetic Effect of 5-Methyl-1H-Benzotriazole and Sodium Dodecyl Benzene Sulfonate on CMP Performance of Ruthenium Barrier Layer in KIO 4 -Based Slurry. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
32. Chong Luo, Yi Xu, Nengyuan Zeng, Tengda Ma, Chenwei Wang, Yuling Liu (2020). Synergy between dodecylbenzenesulfonic acid and isomeric alcohol polyoxyethylene ether for nano-scale scratch reduction in copper chemical mechanical polishing. Tribology International.DOI
33. Chenwei Wang, Yue Li, Guoqiang Song, Zhaoqing Huo, Jia Shuo Liu, Yuling Liu (2020). Role of Slurry Chemistry for Defects Reduction During Barrier CMP. China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC).DOI
34. 邢友翠，刘玉岭（2019）. 在线监控仪在加工超厚晶片中的应用. 《电子工业专用设备》.
35. 张金，刘玉岭，闫辰奇（2019）. 非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响. 《电镀与涂饰》.DOI
36. 王玄石，高宝红，曲里京，檀柏梅，牛新环，刘玉岭（2019）. IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展. 《半导体技术》.DOI
37. 徐奕，刘玉岭，王辰伟，马腾达（2019）. 基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化. 《微纳电子技术》.DOI
38. 刘孟瑞，檀柏梅，高宝红，牛新环，孙晓琴，高鹏程，刘玉岭（2019）. 铜互连CMP中BTA的缓蚀机理及Cu-BTA的去除研究进展. 《微纳电子技术》.DOI
39. 张辉辉，刘玉岭，王辰伟，曾能源，王聪，徐奕，马腾达，刘国瑞（2019）. 复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用. 《半导体技术》.DOI
40. Cong Wang, Yuling Liu, Cheiwei Wang, Huihui Zhang (2019). Uniformity improvement and roughness reduction by using non-ion surfactant in the weakly alkaline barrier slurry. China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC).DOI
41. Shenghua Yang, Baoguo Zhang, Chenwei Wang, Yangang He, Jianchao Wang, Ru Wang, Yuling Liu (2019). Effect of multi-functional amines on SiGe surface finish during chemical mechanical polishing. Materials Science in Semiconductor Processing.DOI
42. Shenghua Yang, Baoguo Zhang, Qiming Zhang, Ru Wang, Xuan Yu, Chenwei Wang, Yuling Liu (2019). A Study of Cobalt Galvanic and Pitting Corrosion with Combination of BTA and PMP. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
43. 邢友翠，闫萍，刘玉岭，李万策（2018）. 区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素. 《电子工业专用设备》.
44. 刘国瑞，刘玉岭，栾晓东，王辰伟，牛新环（2018）. 不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响. 《微纳电子技术》.
45. 胡轶，何彦刚，刘玉岭（2018）. FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用. 《半导体技术》.
46. 岳昕，刘玉岭，王辰伟，郑环，李祥州（2018）. 阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究. 《稀有金属》.DOI
47. 张文倩，刘玉岭，王辰伟，牛新环，韩丽楠，季军，杜义琛（2018）. 非离子表面活性剂在钽基阻挡层CMP中的作用. 《微电子学》.
48. 刘国瑞，刘玉岭，石瑛，王艳梅，牛新环，张文倩（2018）. 集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析. 《电镀与涂饰》.
49. 王建超，刘玉岭，牛新环，张凯（2018）. 双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响. 《微纳电子技术》.
50. 洪姣，刘国瑞，牛新环，刘玉岭（2018）. 碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响. 《微纳电子技术》.
51. 胡轶，张凯，何彦刚，刘玉岭（2018）. 阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响. 《半导体技术》.
52. 杨柳，刘玉岭，檀柏梅，高宝红，刘宜霖（2018）. 新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除. 《电子元件与材料》.
53. 李洪波，王辰伟，李红亮，张文倩，刘玉岭（2018）. 基于碱性硅溶胶磨料的石英玻璃的化学机械抛光（英文）. 《微纳电子技术》.
54. 张文倩，刘玉岭，王辰伟，牛新环，杜义琛，季军，韩丽楠（2018）. 无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制. 《微纳电子技术》.
55. 马腾达，刘玉岭，杨盛华，徐奕，考政晓（2018）. GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制. 《半导体技术》.
56. 高宝红，檀柏梅，车佳漭，刘宜霖，杨柳，刘玉岭（2018）. 碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理. 《半导体技术》.
57. 徐奕，刘玉岭，王辰伟，马腾达（2018）. 阻挡层CMP过程中划伤缺陷的控制. 《半导体技术》.
58. Caihong Yao, Chenwei Wang, Xinhuan Niu, Yan Wang, Shengjun Tian, Zichao Jiang, Yuling Liu (2018). The stability of a novel weakly alkaline slurry of copper interconnection CMPfor GLSI. Journal of Semiconductors.DOI
59. Yang Liu, Baimei Tan, Yuling Liu, Baohong Gao, Yilin Liu, Chunyu Han, Qi Wang, Siyu Tian (2018). Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning. Journal of Semiconductors.DOI
60. Jiying Tang, Yuling Liu, Chenwei Wang, Xinhuan Niu, Baimei Tan, Baohong Gao (2018). Application of surfactant for facilitating benzotriazole removal and inhibiting copper corrosion during post-CMP cleaning. Microelectronic Engineering.DOI
61. Lei Fu, Yuling Liu, Chenwei Wang, Linan Han (2018). Effect of 1,2,4-triazole on galvanic corrosion between cobalt and copper in CMP based alkaline slurry. Journal of Semiconductors.DOI
62. Guorui Liu, Yuling Liu, Xinhuan Niu, Wenqian Zhang, Chenwei Wang, Shenghua Yang, Tengda Ma (2018). Effects of Large Particles on MRR, WIWNU and Surface Quality in TEOS Chemical Mechanical Polishing Based on FA/O Alkaline Slurry. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
63. Yanlei Li, Yuling Liu, Chenwei Wang, Xinhuan Niu, Tengda Ma, Yi Xu (2018). Role of Dispersant Agent on Scratch Reduction during Copper Barrier Chemical Mechanical Planarization. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
64. Jianchao Wang, Xinhuan Niu, Yuling Liu, Chenwei Wang, Shenghua Yang, Kai Zhang, Yi Xu, Tengda Ma, Wenqian Zhang (2018). Improvement of Barrier CMP Performance with Alkaline Slurry: Role of Ionic Strength. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
65. Yang Liu, Yuling Liu, Chenwei Wang, Baimei Tan, Baohong Gao, Chunyu Han, Yilin Liu, Xinliang Tang (2018). Role of Penetrating Agent on Colloidal Silica Particle Removal during Post Cu CMP Cleaning. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
66. Yuling Liu, Xizhang Wei, Bo Peng, Yongshun Ling (2017). Dimensions estimation for cone-cylinder target based on sliding-type scatterers analysis. Journal Of Systems Engineering And Electronics, Vol. 28, No. 1.DOI
67. 刘俊杰，刘玉岭，牛新环，王如（2017）. 有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响. 《半导体技术》.
68. 闫辰奇，刘玉岭，张金，张文霞，王辰伟，何平，潘国峰，牛新环（2017）. 不同粒径硅溶胶磨料对Cu CMP的综合影响. 《微纳电子技术》.
69. 郑环，周建伟，刘玉岭，王辰伟，张乐，王仲杰（2017）. 不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响. 《微纳电子技术》.
70. 赵亚东，刘玉岭，栾晓东，牛新环，王仲杰（2017）. 抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响. 《半导体技术》.
71. 韩丽楠，刘玉岭，王辰伟，张文倩，张凯，杜义琛，付蕾（2017）. KIO4基电解液中Cu/Ru电偶腐蚀的控制与分析. 《微纳电子技术》.
72. 杨柳，刘玉岭，檀柏梅，高宝红，刘宜霖（2017）. 基于螯合剂与活性剂的Cu-CMP清洗液对BTA去除的影响. 《微纳电子技术》.
73. 江自超，刘玉岭，王辰伟，张凯（2017）. 抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响. 《微纳电子技术》.
74. 李月，王胜利，王辰伟，刘玉岭，李祥州（2017）. 碱性抛光液中表面活性剂对铜钽的电偶腐蚀. 《半导体技术》.
75. 顾张冰，牛新环，刘玉岭，高宝红，王辰伟，邓海文（2017）. 超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除. 《稀有金属》.
76. 刘俊杰，刘玉岭，牛新环，王如（2017）. 新型Cu/Ti/SiO2碱性精抛液对TSV碟形坑和塌边的修正. 《稀有金属》.
77. 张凯，刘玉岭，王辰伟，牛新环，江自超，韩丽楠（2017）. CMP中TEOS去除速率的一致性. 《微纳电子技术》.
78. 刘俊杰，李海清，马欣，刘玉岭，牛新环，王如（2017）. 用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究. 《微电子学》.
79. 张文倩，刘玉岭，王辰伟，季军，杜义琛，韩丽楠（2017）. 新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估. 《半导体技术》.DOI
80. 张凯，刘玉岭，王辰伟，张文倩，韩丽楠，任利鹏（2017）. 硅衬底CMP过程中抛光雾的控制. 《半导体技术》.
81. 唐继英，刘玉岭，王辰伟，洪姣（2017）. 多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制. 《微纳电子技术》.
82. 付蕾，刘玉岭，王辰伟，张文倩，马欣，韩丽楠（2017）. 阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素. 《微纳电子技术》.
83. 李月，王胜利，王辰伟，李祥州，刘玉岭（2017）. 碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响（英文）. 《微纳电子技术》.
84. 腰彩红，牛新环，赵欣，王辰伟，刘玉岭（2017）. 新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究. 《半导体技术》.
85. 赵亚东，刘玉岭，栾晓东，闫辰奇，王仲杰（2017）. GLSI铜布线碱性抛光液中磨料的稳定性. 《微纳电子技术》.
86. Jiao Hong, Xinhuan Niu, Juan Wang, Chenwei Wang, Baoguo Zhang, Ru Wang, Ming Bo Sun, Yuling Liu (2017). Research on Si (100) crystal substrate CMP based on FA/O alkaline slurry. Applied Surface Science.DOI
87. Wenqian Zhang, Yuling Liu, Chenwei Wang, Jiaojiao Gao, Xinhuan Niu, Juan Wang (2017). Effect of Non-Ionic Surfactant on Copper Dishing and Dielectric Erosion Correction in Alkaline Barrier CMP Solution Free of Inhibitors. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
88. 高娇娇，刘玉岭，王辰伟，王胜利，崔晋（2016）. 铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法. 《稀有金属》.
89. 贾少华，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇（2016）. 化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响. 《功能材料》.
90. 冯翠月，张文倩，刘玉岭（2016）. 碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响. 《微纳电子技术》.
91. 顾张冰，刘玉岭，高宝红，王辰伟，邓海文（2016）. GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究. 《微纳电子技术》.
92. 冯翠月，张文倩，刘玉岭（2016）. 铝栅去除速率控制机理. 《微纳电子技术》.
93. 洪姣，牛新环，刘玉岭，王辰伟，孙鸣，高宝红，韩力英（2016）. CMP后清洗中活性剂对SiO2颗粒去除的影响. 《微纳电子技术》.
94. 栾晓东，刘玉岭，王辰伟，牛新环，王娟，张文倩（2016）. GLSI阻挡层钌化学机械抛光去除速率的控制. 《微纳电子技术》.
95. 马欣，刘玉岭，牛新环，冯翠月（2016）. 铝栅碱性CMP的析氢腐蚀. 《微纳电子技术》.
96. 李彦磊，刘玉岭，王辰伟，李祥州，岳昕（2016）. 28nm集成电路铜互连弱碱性阻挡层抛光液性能. 《微纳电子技术》.
97. 洪姣，牛新环，刘玉岭，王辰伟，王如，孙鸣，高宝红，岳昕，李祥州，李月（2016）. 低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究. 《微纳电子技术》.
98. 李凤英，刘玉岭，牛新环，孙鸣（2016）. 新型碱性抛光液对Si晶圆抛光速率的优化. 《微纳电子技术》.
99. 赵亚东，刘玉岭，栾晓东（2016）. 新型碱性抛光液化学作用对铜的去除机理. 《微纳电子技术》.
100. 张文倩，刘玉岭，王辰伟，洪姣，王娟，栾晓东（2016）. 300mm硅晶圆粗抛速率优化. 《微纳电子技术》.
101. 闫辰奇，刘玉岭，张金，张文霞，王辰伟，何平，潘国峰，牛新环（2016）. 对比不同特性蓝宝石抛光液的CMP性能. 《微纳电子技术》.
102. 张乐，周建伟，刘玉岭，王辰伟，郑环（2016）. H2O2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响. 《微纳电子技术》.
103. 栾晓东，牛新环，刘玉岭，闫辰奇，赵亚东，王仲杰，王辰伟（2016）. 基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响. 《微纳电子技术》.
104. Xiaodong Luan, Yuling Liu, Baoguo Zhang, Shengli Wang, Xinhuan Niu, Chenwei Wang, Juan Wang (2016). Investigation of the barrier slurry with better defect performance and facilitating post-CMP cleaning. Microelectronic Engineering.DOI
105. Chenqi Yan, Yuling Liu, Jin Zhang, Chenwei Wang, Wenxia Zhang, Ping He, Guofeng Pan (2016). Synergistic Effect of Glycine and BTA on Step Height Reduction Efficiency after Copper CMP in Weakly Alkaline Slurry. ECS Journal of Solid State Science and Technology.DOI
106. Jiao Hong, Xinhuan Niu, Yuling Liu, Chenwei Wang, Baoguo Zhang, Ming Bo Sun, Juan Wang, Liying Han, Wenqian Zhang (2016). Removal rate and surface quality of the GLSI silicon substrate during the CMP process. Microelectronic Engineering.DOI
107. Jiao Hong, Xinhuan Niu, Yuling Liu, Yangang He, Baoguo Zhang, Juan Wang, Liying Han, Chenqi Yan, Jin Zhang (2016). Effect of a novel chelating agent on defect removal during post-CMP cleaning. Applied Surface Science.DOI
108. 樊世燕，刘玉岭，林凯，石陆魁，刘恩海（2015）. 优化CMP碱性铜抛光液配比的新方法. 《半导体技术》.
109. 胡轶，何彦刚，岳红维，刘玉岭（2015）. FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响. 《半导体技术》.
110. 秦然，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇，武鹏，王娟（2015）. pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响. 《半导体技术》.
111. 王月霞，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇（2015）. 碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响. 《半导体技术》.
112. 顾张冰，刘玉岭，高宝红，王辰伟，邓海文（2015）. 碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响. 《微纳电子技术》.
113. 武鹏，周建伟，何彦刚，刘玉岭，秦然，张燕（2015）. 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响. 《微纳电子技术》.
114. 张燕，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇，邓海文（2015）. 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理. 《微纳电子技术》.
115. 洪姣，刘玉岭，牛新环，王辰伟，闫辰奇，张金，张燕（2015）. 螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响. 《微纳电子技术》.
116. 闫辰奇，刘玉岭，张金，王辰伟，张燕，邓海文，安春燕（2015）. Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用. 《功能材料》.
117. 栾晓东，刘玉岭，王辰伟，高娇娇，张文倩（2015）. CMP中新型碱性阻挡层抛光液的性能. 《微纳电子技术》.
118. 李炎，张宏远，刘玉岭，王傲尘，李洪波（2015）. 铜互连线低磨料化学机械平坦化机制. 《稀有金属》.DOI
119. 贾少华，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇（2015）. 碱性铜精抛液中活性剂对平坦化效果的影响. 《微纳电子技术》.
120. 王月霞，刘玉岭，王辰伟，闫辰奇（2015）. 碱性铜粗抛液中各组分对铜去除速率的影响. 《微纳电子技术》.
121. 荣颖佳，王胜利，刘玉岭，王辰伟，高娇娇，张文倩（2015）. 阻挡层CMP中螯合剂FA/OII对抛光效果的影响（英文）. 《微纳电子技术》.
122. Jiao Hong, Yuling Liu, Baoguo Zhang, Xinhuan Niu, Liying Han (2015). A new kind of chelating agent with low pH value applied in the TSV CMP slurry. Journal of Semiconductors.DOI
123. Jiao Hong, Yuling Liu, Baoguo Zhang, Xinhuan Niu, Liying Han (2015). A novel kind of TSV slurry with guanidine hydrochloride. Journal of Semiconductors.DOI
124. 高娇娇，刘玉岭，王辰伟，崔晋（2014）. 新型碱性阻挡层抛光液的研究(英文). 《微纳电子技术》.
125. 刘桂林，刘玉岭，王辰伟，栾晓东，李若津（2014）. 碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响. 《微纳电子技术》.
126. 曹阳，刘玉岭，王辰伟（2014）. H2O2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响. 《功能材料》.
127. 杨昊鹍，刘玉岭，牛新环，孙鸣，李强（2014）. 航空太阳能电池用超薄锗单晶的精密抛光. 《微电子学》.
128. 李炎，刘玉岭，王傲尘，刘伟娟，洪娇，杨志欣（2014）. 催化反应对低磨料浓度化学机械平坦化的影响. 《固体电子学研究与进展》.
129. 袁浩博，刘玉岭，蒋勐婷，刘伟娟，陈国栋（2014）. 碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估. 《微纳电子技术》.
130. 苗英新，王胜利，刘玉岭，王辰伟，孙铭斌，洪姣（2014）. 不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响. 《微纳电子技术》.
131. 陈国栋，刘玉岭，蒋勐婷，刘伟娟，袁浩博（2014）. 各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响. 《微纳电子技术》.
132. 张玉峰，王胜利，刘玉岭，段波，李若津，杜旭涛（2014）. CMP抛光液对TiO2薄膜表面粗糙度的影响. 《半导体技术》.
133. 洪姣，刘玉岭，王辰伟，苗英新，段波（2014）. 新型碱性清洗剂对BTA去除的研究. 《微纳电子技术》.
134. 李炎，刘玉岭，牛新环，王傲尘，李洪波（2014）. 粗糙度和尖峰高度对粗糙铜晶圆表面化学反应动力学参数的影响. 《中国表面工程》.
135. 李炎，刘玉岭，卜小峰，王傲尘（2014）. 乙醇对低磨料CMP过程中铜膜凹凸处去除速率选择性的影响. 《中国表面工程》.
136. 刘伟娟，刘玉岭，王辰伟，袁浩博，陈国栋，蒋勐婷（2014）. 不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响. 《微纳电子技术》.
137. 蒋勐婷，刘玉岭，王辰伟，袁浩博，陈国栋，刘伟娟（2014）. 稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响. 《微纳电子技术》.
138. 王辰伟，刘玉岭，蔡婷，马锁辉，曹阳，高娇娇（2013）. 多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究. 《功能材料》.
139. 蔡婷，刘玉岭，王辰伟，陈蕊，高娇娇（2013）. 弱碱性多羟多胺抛光液稳定性. 《微纳电子技术》.
140. 曹阳，刘玉岭，王辰伟（2013）. GSI多层铜布线化学机械平坦化速率一致性. 《微纳电子技术》.
141. 杨昊鹍，刘玉岭，王辰伟，张宏远，洪姣，孙铭斌（2013）. 碱性条件下对铜—BTA的去除. 《微纳电子技术》.
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预印本

1. Nengyuan Zeng, Hongdong Zhao, Yuling Liu, Chenwei Wang, Chong Luo, Wantang Wang, Tengda Ma (2021). Methods and Mechanistic Analysis of Improving the Dispersion of Nano Silica Colloidal Particles in Chemical Mechanical Polishing Slurries. Research Square.DOI